缓变结相关论文
半导体集成电路从60年代初期发展到现在,在速度、集成度和可靠性等方面均取得巨大进展。它是现代电子科学技术的重大成就,它对科......
本文采用弹道电子运动概念,提出了一种新颖的异质结双极晶体管结构。电子克服了导带势垒峰值(......
一、引言本文讨论汞扩散结的CMT探测器,以I—V参数为基础,再根据C—V特性分析说明汞扩散p—n结既非突变结又非缓变结。CMT扩散结......
针对缓变结和突变结,计算了碲锡铅扩散结光生伏特探测器在零偏压时的电阻——面积之乘积R_oA。对抗缓变结而言,提出的公式论证了少......
引言HgCdTe是一种具有独特性能的材料,制备P—n结又常用Hg扩散方法,它与常规的杂质扩散又有不同,加之材料的组分、结构及其固有的......
提出了具有垂直沟道的平面硅多沟道场效应晶体管的理论和实验结果。包括:由于载流子的极限速度而使漏电流饱和的短沟道场效应理论;......
一、前言 1951年肖克莱提出了宽能带发射极原理,1957年由Kroemer详细地介绍了双极晶体管中采用宽能带发射区,从而提高注入效率和......
本文较详细地分析了Si/α-Si异质结晶体管(HBT)的微波性能和工艺优点,简述了工艺过程,初步实验结果证实:Si/α-Si HBT具有较好的小......
本文介绍了台面型器件获取高的击穿电压的方法.主要从台面的形状和内部杂质浓度的分布两个方面进行了探讨,并且介绍了适于大量生产......
本文介绍了以宽禁带发射极晶体管为重点的六种异质结双极晶体管(HBT)的一般设计原则。为说明这一原则还给出了一个高速开关HBT的设......
本文应用LAS200型多功能电子能谱仪对硫化亚铜(Cu_xS)-硫化镉(CdS)异质结构的表面和深度剖面进行了分析。AES谱的分析结果表明:在C......
本文针对高频晶体管生产中所存在的:提高电流放大系数h_(FE)会导致大批管芯发生c、e穿通,或BV_(ceo)急剧下降的现象,分析了晶体管......
本文对一种360°移相器线性条件进行了分析。从线性要求出发,求出了对变容管的引线电感及结电容的最大值和最小值的要求。并研制了......
垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管（Vertical Double-diffused Metab-Oxide-Semieonductor Field Transistor，VDMOS）是由Pbody与外延......
