空穴态相关论文
采用一种简单的实验方法测定低能区几种离子与Ａｕ碰撞产生Ａｕ的Ｌ＿３空穴态的定向度，及定向度的入射离子能量相关性；同时在平面波玻恩近似理论基......
在１５Ｋ下测量了ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ亚单层结构的静压光致发光，静压范围为０～８ＧＰａ．常压下ＩｎＡｓ层中重空穴激子的发光峰随ＩｎＡｓ层厚的减小向高能移动，同时峰宽变窄，强度减小．其压力......
本文应用平均键能理化和形变势方法对理想的Ｓｉ－ＧａＡｓ（００１）异质界面的价带不连续性进行了理论确定，全面分析了应变的静流体分量和单轴分量所起的作......
研究了ＧａＩｎＡｓ／ＡｌＩｎＡｓｎ型调制掺杂结构样品的光致发光及其激发光谱。当空穴态被局域化后．二维电子气的发光线形反映了导带二维态密度的填充效应：导带......
用L-K有效质量理论研究［001］方向生长的（Znse）n／（ZnS）m应变层超晶格的电子结构和光吸收系数．结果表明，光吸收系数与附宽和垒厚有关．
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给出了具有二三个量子阱的Ｉｎ１－ｘＧａｘＡｓｙＰ１－ｙ／ＩｎＰ张应变量子阱材料的光荧光谱及ｘ射线双晶衍射摇摆曲线，指出了光荧光峰为量子阱中导带子带和价带子带间本征......
应用Ｋ·Ｐ微扰法计算能带的基本方法，在考虑偏振随波矢变化的情况下，分别计算了无应变、１％压缩应变和１％伸张应变下４．０ｎｍ阱宽ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ量子阱的增益矩阵元。......
利用Ｋ·Ｐ方法计算了阱宽１０．０ｎｍ的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ应变量子阱在１％压缩应变、无应变和１％伸张应变三种情况下的能带结构及其态密度．结果表明在阱宽较宽时，伸张应变在......
分别采用单带重空穴近似和六带Kronig-Penney模型,对垂直耦合锗量子点在不同耦合距离下的空穴态特性进行了计算,并探讨了自旋-轨道......
La-Ba-Cu-O和YBa_2Cu_3O_(～7)(YBCO)等超导体被发现后,已经提出多种模型来解释高温超导机理。其中一种认为这些超导体中存在Cu~(3+......
本文由形变势理论研究了应变对超晶格（ＣｄＴｅ）＿ｎ／（ＺｎＴｅ）＿ｍＴ点带边的影响计算了带偏移。在有效质量近似下，计算了对称的双量子阱中的亚带结构随阱宽与垒宽......
研究了修Ｖ２Ｏ５对ＳｎＯ２元件电阻和稳定性的影响．掺杂后，稳定性提高但灵敏度下降；掺杂量＜０．５６ｗ．％肘，电阻降低；掺杂量＞０．５６ｗｔ％肘，电阻上升．利用量子化学分析机理．结果表明......
应用含自洽晶体场MadeLung势全电子从头算方法计算了模拟缺氧和掺氟的YBaCuO原子簇.结果表明:缺氧效应导致CuO_2面上的电荷浓度增......
ZnS、ZnSe、ZnTe等宽禁带半导体材料构成的超晶格和量子阱结构可望在可见光光电子器件领域发挥重要作用,特别是它们可制成600—70......
获得高分辨ＧａＰ：（Ｎ）光致发光光谱，观察到等电子陷阱束缚激子发光中ＬＯ（Γ）和ｌｏｃ多声子发射，其强度分布符合治松分布。将声子伴带区分为直接光跃迁和间......
建议用一种基于超晶格自洽超原胞计算的形变势方法来确定ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ应变异质界面的能带排列情况。该方法全面考虑了界面电荷、弹性应变以及自......
本文通过反应128Te(19F,5n)142Pm研究了双奇核142Pm的高自旋态能级结构,建立了142Pm核高自旋态能级纲图.根据能级结构的系统性,识......
该文在有效质量理论下采用平面波展开方法计算了量子阱的电子态和空穴态,运用四种宏观解析模型(黄朱解析模型、片层模型、波导模型......
本文利用光谱函数,发展了计算处于激发谱的分立和连续部分的核空穴结构的公式。...
在自组织Ge/Si量子点这类低维材料中,载流子的运动在空间三维方向上都受到限制,电子(空穴)态呈类“原子”的分立能级,即量子化。在......
