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沟道技术分析As注入Si瞬态退火中晶格畸变对P-N结漏电的影响
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结漏电
自对准硅伦物器件的结漏电分析
要成功地把自对准硅化钛工艺用于重复性好、成品率高的器件制作过程中,就必需把硅化物工艺引起结漏电减至最低程度。研究了硅化钛......
期刊
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BCD工艺中的NMOS管结漏电问题的研究
针对BCD工艺中出现的NMOS管结漏电问题进行研究,通过失效分析的方法发现有结穿刺现象,怀疑为金属阻挡层工艺窗口较小。为进一步调查......
期刊
结穿刺
结漏电
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