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BCD工艺中的NMOS管结漏电问题的研究
针对BCD工艺中出现的NMOS管结漏电问题进行研究,通过失效分析的方法发现有结穿刺现象,怀疑为金属阻挡层工艺窗口较小。为进一步调查......
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结穿刺
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