缺陷分布相关论文
针对履带车体整体机械加工时,组焊件平衡肘支架在固定位置螺纹孔内出现铸造缺陷的问题,采用ProCAST模拟仿真技术对铸造工艺进行了......
应力发光材料具有应力-光转换特性,能在机械应力下产生发光,从而在光学信息显示方面具有很高的应用价值.本文通过改变铁电基体KxNa......
期刊
为实现大尺寸CFRP材料内部缺陷的检测，利用超声冲击共振法简单易操作的特点，使用搭载于桌面的超声共振法检测设备，对蜂窝夹层结构复合......
选区激光熔化（Selective laser melting,SLM）是一种先进的金属增材制造技术,能够快速、精确地成型出具有复杂结构和优良性能的零件,......
结合江苏省电力设计院新型圆形煤仓结构研究项目,提出一种将空间管桁架与球面网壳结构相结合的新型结构形式,以达到在施工检修过程......
由于漫长的地质作用和各种工程扰动,大自然中的岩石包含诸多缺陷。在采矿、水电、交通、石油、核废料处置等工程中,含缺陷岩石将会......
介绍了尿素设备带极埋弧堆焊时浅表夹渣的形貌及成因,指出这种缺陷是在熔池后部即将凝固的金属与熔渣及焊剂的动态接触时,细颗粒焊......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
任晓兵常常把前沿院的工作比喻成“有红烧肉的瓷饭碗”,其在人事、财务、科研、人才培养、行政管理等方面保持相对独立的特点让媒......
评价一套软件系统的质量,一方面要对其所表现出来的外部特征进行研究,另一方面还应对其内部结构进行分析. 因为构成软件系统的程序......
论述了与软件缺陷相关的几个问题,包括软件缺陷的来源、软件缺陷的分类和分级、软件缺陷数目的预测、软件缺陷的发现及排除效率、......
采用pl mapping技术,检测6英寸Si-gaaS晶片的均匀性,从而得到样品中的缺陷分布状况.本文主要通过光荧光谱获得样品表面和内部丰富......
大量实验表明了在集成电路(IC)制造过程中形成的缺陷团之间具有很强的相关性,然而现用于划分缺陷团的方法均忽略了缺陷之间的相关......
Fractal Characteristic of Pits Distribution on 304 Stainless Steel Corroded Surface and Its Applicat
Electrochemical techniques and fractal theory were employed to study the corrosion behaviors and pits distribution chara......
对Ti6Al4V合金飞机舱门精铸件的结构进行分析，设计浇注工艺方案和浇注系统，对比底注式离心浇注、底注式静止浇注和顶注式静止浇注3种......
从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系.此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度......
随机产生失效核分布的方法不能反映众核处理器物理拓扑结构的真实状况,在评价相关拓扑重构算法的效能时有失客观性。本文针对这一......
对于民用航空发动机而言,限寿件对发动机的结构完整性以及整机安全水平有着极其重要的影响,对限寿件进行概率风险评估是发动机适航......
本文介绍了制造商们如何在应用DFx工具时利用DPMO数据改善质量和降低成本的商业例子。利用DPMO数据可以精确地预测未来产品的缺陷......
复合土工膜防渗体施工过程中,不可避免地对土工膜造成缺陷,直接影响坝体的防渗性能。通过对复合土工膜渗漏特征的分析,根据实测坝......
二氧化钛作为一种半导体材料,具有价格相对低廉,绿色环保,性能优异等优点,被广泛应用于能源和环境领域。但是二氧化钛的能级带隙较......
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采用磁控溅射法制备了纳米硅颗粒镶嵌氧化硅薄膜,测试了其光致发光谱,发现其发光强度不仅是纳米硅晶粒尺寸的函数,而且与纳米硅晶......
无损检测技术在工程实际中的应用越来越多,为了有效地检测出零件表面可能存在的最大裂纹,达到较高的检测概率(不漏检概率),同时又......
本文通过对某区域内连续三个年度工业锅炉检验情况的统计分析,找出了停止运行缺陷在不同种类锅炉、不同锅炉炉型、不同缺陷类型、......
结合先进电子显微术和纳米压痕分析,对低活化马氏体CLAM钢的辐照行为进行了研究。在室温下对CLAM钢进行了单一注D+、单一注He+以及......
<正>等规聚丙烯(iPP)的缺陷含量(平均等规度)及缺陷分布情况(等规度分布)直接影响树脂的结晶行为,进而影响材料的加工性能和使用性......
为掌握系统测试过程中软件缺陷分布情况,提高软件测试的充分性,在大量实际软件测试数据的基础上,对现有缺陷预测模型进行分析,研究......
第三代半导体材料GaN,具有直接带隙、大禁带宽度(室温下3.39eV)、强击穿电场(3 MV/cm)、高电子饱和漂移速度(3×107cm/s)、和良好......
