自旋轨道矩相关论文
在过去的50年,半导体微电子器件集薄膜制备和微加工技术之大成,通过持续降低器件尺寸的方式始终确保其芯片容量按照摩尔定律的预言......
各种材料诸如二维纳米材料、过渡金属化合物等,它们的电子结构特性决定了它们的应用前景。本论文以第一性原理为基础,对一些材料的......
随着信息时代的高速进步,人们对数据存储器的要求也越来越高,传统的半导体存储器逐渐满足不了人们的需要。磁随机存储器,由于读写......
基于自旋轨道矩效应的全电学驱动磁矩翻转具有写入速度快、耐久性强、使用寿命长、功耗低等优势,在新型自旋电子存储器和逻辑器件......
斯格明子是一种新颖的具有拓扑稳定性的纳米至微米尺度的自旋结构，存在于具有磁偶极-偶极相互作用竞争的磁泡，以及体/界面Dzyaloshin......
自旋电子学起源于上个世纪80 年代在固态器件中观察到的自旋相关输运行为。从Albert Fert和Peter Grünberg 两位科学家相互独立的......
在高速发展的信息化时代,大量的信息与数据需要被处理和保存,因此人们希望信息存储器件的存储密度更高、容量更大、存取速度更快、......
本论文的内容涉及对三维拓扑绝缘体(TI)薄膜的电输运性质和CoFeB/MgO多层膜中自旋轨道矩效应(SOT)的研究。我们利用磁控溅射的方法......
近年来，电流驱动磁畴壁运动的研究吸引了越来越多人的关注。2008年 IBM的Parkin提出赛道存储器的概念，由于其潜在的应用价值，许多研究......
利用磁体进行信息记录的器件都需要操控磁体的磁矩,即使得磁体的磁矩翻转（磁化反转）,从而实现“0”和“1”的信息转化。目前,实现纳......
巨磁阻效应的发现开辟了自旋电子学研究的新时代.目前,自旋电子学已经发展成为与磁学、半导体、微电子学、凝聚态物理等学科紧密结......
随着大数据时代的到来,海量的信息对数据存储器件提出了越来越高的要求,也使得当前的信息存储技术面临着诸多挑战。因此,如何能更......
在理论上研究了磁隧道结/重金属层组成的三端磁隧道结中磁性状态的稳定性.以包含自旋转移矩和自旋轨道矩的Landau-Lifshitz-Gilber......
基于自旋转移矩的磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistive RAM,STT-MRAM)具有非易失性、可无限擦写和快速写......
基于自旋转移矩的磁性随机存储器（Spin Transfer Torque-Based Magnetoresistance RAM,STT-MRAM）具有非易失性、快速写入、可无限擦......
具有纳米异质结构的磁性薄膜是自旋电子学的核心应用材料。其中,与维度、尺寸密切相关的表面、界面效应又对材料性能有着至关重要......
