磁畴壁相关论文
基于重金属/铁磁复合薄膜的新型自旋电子器件具备小尺寸、高处理速度、低功耗等优点,是“超越摩尔”时代信息器件的重要组成部分。......
超高密度固态布洛赫线存储器（BLM）是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线（VBLs）作为信息载体,所以硬畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密......
新近实验表明，电流流过垂直磁化的Pt/Co/AlOx 薄膜纳米线时，除存在着众所周知的自旋转矩(STT)效应外[1]；由于薄膜的结构反演非对称性，......
在描述磁化动力学的朗道-栗夫席兹-吉尔伯特唯象方程中，吉尔伯特阻尼是唯一的材料参数，决定了动力学过程的时间尺度，例如磁矩翻转......
本文介绍了碳含量、晶粒尺寸及热处理制度对 MAE 及 BN 的影响,以及对表面淬火后的大型冷轧辊的 BN 值测量,结果表明 MAE 及 BN 与......
最近几年，由于人们对信息存储的急切需求，不断地激励着信息存储领域的研究，而纳米结构中磁畴壁在信息存储方面的潜在优势逐渐引起......
最近,铁磁性纳米结构中类孤立子磁畴壁的动力学行为研究得到了人们的关注[1,2]。众所周知,磁畴壁在铁磁性纳米线中传播时,磁畴......
详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场H·sb和硬泡标准场H*0处畴长L随温度的变化关系,证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间......
由于在自旋电子学中的应用前景,纳米线中磁畴壁以及对磁畴壁的操控是一直以来的热门课题.磁畴壁的手征性可以表征数字逻辑中的1和0......
磁场或电流驱动的纳米线磁畴壁的移动行为在逻辑和磁存储器件中有巨大应用潜力,近年来备受关注.在纳米线中,分割相邻磁畴的磁畴壁......
研究了Co、Ni、取向硅钢等磁性材料在频率为0.5Hz及1Hz、磁场强度从-H（，max）至+H（，max）之间的磁声发射（MAE）及巴克豪生噪音（BN）。找出了其间......
该文从宏观和微观两个方面系统地研究了外加磁场对60Fe40Ni。合金塑性变形的影响。在磁场中进行慢拉伸时，铁镍合金的屈服强度明显下......
稀薄原子气体中的玻色-爱因斯坦凝聚和磁性系统中磁化强度矢量的量子隧穿都是典型的宏观量子现象，本文就这两个系统进行了一些理论......
近年来，电流驱动磁畴壁运动的研究吸引了越来越多人的关注。2008年 IBM的Parkin提出赛道存储器的概念，由于其潜在的应用价值，许多研究......
该文实验研究了含Lu样品中的硬磁畴(含Lu样品中只能产生OHB和ID)在面内场作用下行为.首先,实验研究了直流偏场"整形"和面向场交替......
该文首次研究了在面内场的作用下,用"低直流偏场法"产生的枝状畴畴壁中VBL的消失规律.实验发现,用"低直流偏场法"产生的IID枝状畴......
本文实验研究了外延石榴石磁泡薄膜样品中三类硬磁畴(普通硬磁泡OHB、第一类哑铃畴(ID)、第二类哑铃畴(IID))畴长随直流偏场的变化......
七十年代中国开始从事这方面的研究.河北师范大学物理系磁学室与中科院物理所合作多年,对VBL的产生、消失、温度稳定性等进行了深......
Landau-Lifshitz方程是用以研究微磁学（Micromagnetic）理论的基本方程,正是在此种情况下我们考虑Landau-Lifshitz方程的一些解的结果......
MAMMOS(Magnetic AMplifying Magneto-Optical System)是磁畴扩大读出技术之一.该技术是将记录层的微小磁畴扩大复印到读出层,可防......
表面可以改变纳米磁性薄膜的结构和相变温度,畴壁动力学由此成为研究的重点.本文采用动力学蒙特卡罗模拟方法,对二维Ising模型磁畴......
固体物理学是物理学本科教育的一门核心课程,其内容紧密联系凝聚态物理研究前沿.在教学中引入适当的前沿进展,可以拓展学生的学术......
MAMMOS(Magnetic AMplifying Magneto-Optical System)是磁畴扩大读出技术之一.该技术是将记录层的微小磁畴扩大复印到读出层,可防......
通过对哑铃畴在面内场作用下自缩泡现象的研究，发现面内场作用下垂直布洛赫线链的解体与哑铃畴在面内场中的位置有关。当哑铃畴与面......
具体详细地总结了布洛灶线物理研究中的一些基本参数及其测量方法，其中有些名词、术语已被国内外同行所采用。......
实验研究了温度对普通硬磁泡畴壁内垂直布洛赫线链的影响，发现存在一个与磁泡材料参量相关的使ＶＢＬ链解体的昨是温度范围「Ｔ１；Ｔ２」为准确测量......
在室温下用匀速率增加磁场方法磁化不同居里温度的镍锌铁氧体试样，测得磁化强度Ｍ的时间变化率曲线表明，同一温度下随外场速率增加，曲线......
用自组装系统记录了外场分别为匀速率增加的直流磁场、低频交变磁场和它们同时存在时,磁光薄膜(BiTm)3(FeGa)5O12一种缺陷周围磁畴......
借助微磁模拟软件（OOMMF），利用具有不同对称刻痕的垂直磁化纳米线模型研究了CoPtCr合金在电流驱动下的磁畴壁振荡行为，重点分析了振荡......
采用四点弯曲加载，研究300M钢表层应力与巴克豪森信号值的关系，并用磁滞伸缩模型对试验结果进行了分析。结果表明，应力方向与磁化方向......
研究了磁纳米线中头对头畴壁在缺口处关于钉扎场的问题。采用微磁学软件模拟了当施加外磁场后,钉扎场与缺口的几何尺寸以及相对位......
实验研究了含Lu样品(硬磁畴只能产生OHB和ID)中的第一类哑铃畴(ID)在直流偏场(Hσ)和面内场(Hip)联合作用下的自发收缩现象,这种现......
韩国科学技术院和高丽大学联合研发团队成功研绿出下一代超高速磁畴壁存储器核心技术。此前开展磁畴壁存储器研究多采用“强磁体”......
本文报告了最新重要科技信息，利用外加磁场的控制布洛赫畴壁（简记BL）可产生磁化矢量复杂扭转。其中能形成一些磁化方向垂直指向膜面的......
用匀速率增加的直流磁场Ｈ磁化不同居里温度的镍锌铁氧体试样，测得磁化强度Ｍ的时间变化率曲线表明：同一温度了随外场速率Ｈ增加，曲线升高；同......
研究了经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下的温度特性，通过与未经筛选的普通硬磁泡在非压缩状态下温度特性的对比，发现：在非压缩状态下......
为了进一步研究电磁波在磁光介质中的传播。文中先从理论上分析了磁光介质磁畴壁处的单向模特性，然后通过基于时域有限差分法的软件......
磁性斯格明子由于拓扑的保护性,具有很高的稳定性和较小的临界驱动电流,有望应用于未来的赛道存储器件中.而在中心对称体系,由于偶......
本文观察了晶粒取向3%Si-Fe在外加拉应力和磁场作用下,磁畴壁的运动及声发射强度(MAE)变化的一些现象.当应力较小时,MAE(RN)随应力......
运用磁力显微镜观察外磁场作用下缺陷处的微磁场变化,通过分析缺陷附近磁畴的变化特征得出材料中存在缺陷时,缺陷对畴壁形成钉扎,......
传统的CMOS器件工艺在历经几十年的发展后,现在已经进入了瓶颈期,低能耗与高集成度的矛盾限制了CMOS技术的进一步发展。而自旋波因......
学位
研究了无取向硅钢Ｗ２３Ｇ，Ｗ１０，Ｗ１４和取向硅钢Ｑ８Ｇ４种材料在不同形变量下的磁声发射（ＭＡＥ）和巴克豪森噪音（ＢＮ），结果表明ＭＡＥ随形变量增大而减少，ＢＮ随形变量的增大而增大。测......
基于Landau-Lifshitz-Gilbert自旋动力学方法,研究了磁纳米条中缺陷、温度对其电流驱动磁畴壁移动性质的影响.研究结果表明：缺陷能......
详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈｓｂ和硬泡标准场Ｈ０‘处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距......
据报道,德国和瑞士科学家利用中子成像技术首次绘制出磁畴的3D图像,这对进一步了解磁畴的材质属性和物理法则具有十分重要的意义,......
基于Larson-Miller参数对10CrMo910钢进行了不同时段的高温加速老化模拟实验,运用光学显微镜(OM)和透射电子显微镜(TEM)对试样进行......
