本文研究了ｎ型硅阳极化的高选择和终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离ＳＯＩ结构。采用这种ＰＩＰＯＳ（Ｆｕｌｌ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｂｙ Ｐｏｒｏｎｓ Ｏｘｉｄｉｚｄｅ Ｓｉｉｌｃｏｎ）技术在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｎ＾－／衬底上形成的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）结......