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本文研究了ｎ型硅阳极化的高选择和终止工艺，并将该工艺用于形成多孔氧化硅全隔离ＳＯＩ结构。采用这种ＰＩＰＯＳ（Ｆｕｌｌ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ ｂｙ Ｐｏｒｏｎｓ Ｏｘｉｄｉｚｄｅ Ｓｉｉｌｃｏｎ）技术在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｎ＾－／衬底上形成的ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）结构，其顶层硅岛厚度可控制在较广范围（从１００ｎｍ到数μｍ），且硅岛宽度可大于１００μｍ．ＸＴＥＭ结果显示顶层硅／氧