总剂量辐照相关论文
对基于GaN的DC/DC变换器进行了总剂量、单粒子及耦合辐照效应研究，讨论了DC/DC变换器在特定负载及电压条件下，输出电压、输出电流、......
绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（SOI-LIGBT）是单片智能功率芯片中的最核心元件,采用SOI衬底可以有效提升器件的抗空间辐照能力,受......
随着科学技术的发展,特别是航天技术、核技术和军事技术的发展,对高性能、低体量、可以应用于各种恶劣的高温强辐射环境下的电力电......
通过60Co辐射源及电子加速器辐照实验，分析器件单元的I-V特性、R-V特性以及相变材料阻值的辐照前后变化，研究基于Ge2Sb2Te5合金的相......
本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失......
辐照会引起MOS器件电介质氧化物与半导体界面势垒变化，影响其工作性能和可靠性。测量了n型6H-SiC MOS电容辐照105rad(Si)剂量前后的......
本文提出了一个深亚微米尺度下总剂量辐照引起的NMOS器件寄生管泄漏电流模型，该模型将辐照对MOS器件的影响直接体现为寄生管阈值漂......
分析了双轴应变Si p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在γ射线辐照下载流子的微观输运过程,揭示了γ射线的作用机理及器件......
高压DAC由于采用了大量厚栅氧MOS管,在总剂量辐照环境下会引起器件参数漂移、漏电流增加等。通常的解决方法是衬底隔离寄生MOS管、......
提出了一种具有叠层埋氧层的新栅型绝缘体上硅(SOI)器件.针对SOI器件的抗总电离剂量(TID)加固方案,对绝缘埋氧层(BOX)采用了叠层埋......
基于中国科学院微电子所0.18μm PDSOI CMOS工艺,实现一种超薄栅氧VSTI CMOS器件结构.电离总剂量辐照试验结果表明,300K rad(Si)辐......
本文对Actel公司一款基于Flash型FPGA进行了γ射线电离总剂量辐照效应研究,分析了Flash型FPGA功能及功耗电流随辐照总剂量增加的变......
为配合中国科学院微电子研究所VDMOS总剂量辐照、单粒子辐照、瞬态剂量率辐照等极限环境下器件开启电压的在线实时准确测量，开......
本文以54HC04为研究对象，进行了稳态与脉冲γ总剂量辐照效应试验，研究了稳态与脉冲γ总剂量电离辐射效应，重点对稳态和脉冲γ总剂量辐......
成功制作了5mm栅宽SiC MESFET，初步研究了γ电离总剂量辐照对器件直流特性的影响。γ电离总剂量辐照源为钻60γ射线，γ射线剂量率为3......
本文通过对CMOS 4000、54HC系列门电路进行不同偏置条件下的电离辐照实验，比较了电离辐照环境中CMOS 4000和54HC系列电路的总剂量辐......
本文通过改变存储器辐照时施加的偏置状态(动态检测或不加电)和不同剂量辐照后的退火条件,在线测得EEPROM和FLASHROM存储器逻辑状......
本文研究了国产商用MOS器件CD4007电路经过60Coγ辐照后高温退火和反复辐照-退火情况下的阈电压、静态功耗电流随辐照累积剂量的关......
本文对沟道热载子损伤和总剂量辐射损伤的相互作用关系进行了研究,并通过提出两种损伤方式产生界面态在能级分布上的差异模型,对两......
该文对一种由计算机自动控制并进行数据采集的电子元器件总剂量辐照现场测试系统进行了描述，并通过应用该系统对ＣＭＯＳ数字电路ＣＣ４０６９进行与总剂......
该文对比了加固ＭＯＳＦＥＴ在不同偏置条件下的总剂量辐照响应特性和退火特性，特别是对辐照偏置和退火偏置对器件电离辐射损伤的相互作用关系进......
该文研究了注Ｆ加固ＰＭＯＳＦＥＴ的总剂量辐照响应特性和辐照后氧化物电荷、界面态变化与时间、温度、偏置等退火条件的关系，发现一定退火条件下注......
由于辐照环境的存在，会导致器件辐照特性的严重退化，且随着器件尺寸的缩小，总剂量辐照特性会变得越来越严重。本论文主要研究了超深亚......
MOSFET总剂量加固强烈依赖于工艺技术,对干氧方式下不同条件制备的NMOS、PMOS管,分析其辐照响应,并借用亚阈值I-V技术分离氧化物陷......
对1 Mb静态随机存取存储器(SRAM)进行了不同偏置条件下的总剂量辐照效应研究。结果表明,试验选取的CMOS SRAM器件为总剂量辐射敏感......
研究了在不同的温度和偏置条件下对SIMOX SOI MOSFET进行总剂量辐照的退火特性。结果发现,ON偏置时退火效应较显著,且高温时退火效......
This work researched the impact of total dose irradiation on the threshold voltage of N-type metal oxide semiconductor f......
在商用SIMOX衬底上制备了抗辐照NMOSFETs,使用的主要技术手段有:氮化H2-O2合成栅介质加固正栅;增加体区掺杂,以提高背栅阈值电压;......
ＭＯＳＦＥＴ总剂量加固强烈依赖于工艺技术，对干氧方式下不同条件制备的ＮＭＯＳ，ＰＭＯＳ管，分析其辐照响应，并借用亚阈值Ｉ－Ｖ技术分离氧化物陷阱电荷和界面陷阱对阈值......
本文采用统计分析的方法对大样本互补型金属-氧化物-半导体器件（CMOS）CC4069电路辐照前后的数据进行了处理。比较了研究变量的晶体管......
研究了主要由N80C196KC20、PSD50181和X24F128三部分组成的单片机系统在X射线辐射环境中的剂量增强效应。对系统及三部分单元电路......
针对某卫星载荷二次电源所面临的空间总剂量辐射环境及其效应，进行了二次电源用3 款MOSFET（IRF5N3415、IRF7NA2907、IRF7N1405）的抗辐......
在埋氧化层厚度不同的SIMOX衬底上制备了H型栅结构器件。经过总剂量辐照后，器件的正栅亚阈值特性无明显变化，背栅亚阈值特性发生平移......
对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ倒相器在不同偏置条件下进行了＾６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量副照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起......
总剂量辐照下,存储单元和MOS管阈值电压均会发生漂移,引起灵敏放大器性能退化.基于0.6μmSOI工艺,设计了一种用于SONOSEEPROM存储......
针对CMOS反相器进行了电路级的抗总剂量辐射加固设计，对采用此电路结构反相器的抗总剂量辐射性能，利用电路模拟软件Pspice进行了模拟......
分析研究了注Ｆ场氧ＭＯＳＦＥＴ的辐照响应特性结果表明，由于Ｆ离子具有负电中心，替换部分弱键和和健等的作用，导致含Ｆ场氧介质具有很强的抑制电离辐射......
研究了总剂量辐照效应对0.35μm的NMOS器件热载流子测试的影响,结果发现：经过100 krad（Si）总剂量辐照的NMOS器件在热载流子测试时其阈......
研究了基于超薄SOI(UTSOI)的MOSFET总剂量辐照效应。研究主要基于晶体管的三个工作状态(ON状态、OFF状态、TG状态)和不同的背栅偏......
对PDSOI CMOS器件及电路进行总剂量辐照的加固势必会引起其性能下降,这就需要在器件及电路加固和其性能之间进行折中.从工艺集成的......
本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固。辐射实验结果证明了该加固方法的有效性。PL谱和......
采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺，研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS......
研究了总剂量辐照效应对0.35μm n型金属-氧化物-半导体（NMOS）器件热载流子测试的影响.试验结果表明：经过100 krad（Si）总剂量辐照后进行......
通过对MOS电容进行热载子注入和总剂量辐照实验，探讨了MOS结构热载子注入与总剂量辐射响应的相关性．研究结果表明，热载子注入和总剂量......
对用多次注入与退火技术制成的ＳＩＭＯＸ材料制备的Ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ进行了６０Ｃｏγ射线累积剂量辐照试验，测量了不同辐照偏置条件和辐照剂量下的亚阈特性曲线和阈......
采用高选择和自终止多孔氧化硅全隔离技术的制备了高质量的ＳＯＩ材料，研究了在该材料上采用２μｍＣＭＯＳ工艺制备的不同沟道长度的Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ的＾６０Ｃｏγ射线总剂量......
超结器件打破了传统意义上的“硅极限”,具有优良的电学性能,有望代替常规功率MOSFET应用在空天飞行器电源等。然而,空天飞行器所......
