量子阱混合相关论文
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对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了热稳定性能的研究，通过光荧光谱（ＰＬ）的测量发现：量子阱材料在６５０ ℃以上的常规退火条件下，有最大可达１５５ ......
利用３００ｋｅＶ的Ｐ＋离子对ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变层多量子阱（ＭＱＷ）激光器外延结构实施浅注入，经Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，结构的光致发光（ＰＬ）峰值波长蓝移了７６ｎｍ，所作宽接触激光器的激......
我们对 Si O2 覆盖退火增强 In Ga As/In Ga As P/In P激光器材料量子阱混合技术进行了实验研究 .相对于原始样品 ,退火时无 Si O2......
为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×10～5×10cm的P离子注入到InGaAs/InGaAs分别限制多量子阱(SCH-MQW)激光器......
对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了一系列热稳定性能的研究，通过光荧光谱（ＰＬ）的测量发现：ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料在６５０ ℃以上的常规退火条件......
半导体光子集成(PIC)和光电子集成(OEIC)技术中的关键问题是工艺上的兼容性,即如何采用简单可靠的方法在同一衬底上制成具有不同禁......
自上个世纪90年代开始，波导中的非线性频率转换受到重视，基于二阶和三阶非线性原理的频率转换已经引发了大量的研究，这种频率转换在很......
为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用1～2MeV、1×1013～5×1013cm－2的P＋离子注入到InGaAs/InGaAsP分别限制多量子阱（SCH－MQW）激......
对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂......
研究了晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格材料的热稳定性 ,实验结果表明在 60 0℃以上的热退火下会产生量子阱混合 .采用 1 .0 6......
运用1.064,μm连续输出的Nd:YAG激光器,对与InP晶格匹配的InGaAsP四元系量子阱材料进行了光子吸收诱导无序(PAID)技术的研究.通过......
本文以晶格中原子的扩散理论为基础,分析了四元系InGaAsP半导体材料中Ⅲ、Ⅴ族原子的扩散规律,建立了量子阱和超晶格结构中量子阱......
为了在光开关器件的制作中实现低传输损耗的光波导，对InGaAs/InGaAsP分别限制异质结多量子阱(SCH-MQW)激光器结构进行了一系列带隙......
研究了晶格与ＩｎＰ匹配的ＩｎＧａＡｓＰ超晶格材料的热稳定性，实验结果表明在６００℃以上的热退火下会产生量子阱混合，采用１．０６４μｍ连续输出的Ｎｄ：ＹＡＧ 激光器对超晶格外延......
研究了基于InGaAsP/InP应变多量子阱片的氩等离子体诱导量子阱混合工艺方法.当等离子刻蚀机（ICP）的射频（RF）功率为480W、ICP功率为500W......
叙述了磷离子注入方法诱导具有不同发射波长的InGaAsP双量子阱结构的混合,并通过光致发光谱和断面透射电子显微术对量子阱混合的程......
SiO2 电影追随者离子培植被调查的通过提高血浆的化学蒸汽免职(PECVD ) 认识到的 QWI (很好使混合的量) 的一个方法。在 160 keV ......
对晶格与ＩｎＰ匹配的ＩｎＧａＡｓＰ超晶格结构外延片，运用等离子增强化学气相沉积法镀ＳｉＯ２膜，随后用碘钨灯快速热退火，进行无杂质空位扩散（ＩＦＶＤ）技术的实验研究，测量......
离子注入诱导无序（IICD）和无杂质空住扩散（IFVD）方法是在同一基片上生长量子阱以后再导致部分区域量子阱混合（QWI）的重要方法。本文采用......
本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120 keV,剂量范围为......
为了在光开关器件的局部区域实现量子阱混合，选用１￣２ＭｅＶ、１×１０＾３￣５×１０＾１３ｃｍ＾－２的Ｐ＾＋离子注入到ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ分别限制多量子阱（ＳＣＨ－ＭＱＷ）激光器结构，在７００℃下快速热退火９０ｓ。发现光......
对与ＩｎＰ晶格匹配的ＩｎＧａＡｓＰ四元系量子阱材料进行了热稳定性的研究，通过光荧光谱的测量发现：量子阱材料在６５０℃以上的常规退火条件下，有最大可达１５５ｍｅＶ的ＰＬ峰......
半导体超辐射发光管是一种介于半导体激光二极管和半导体发光二极管之间的一种半导体光源，它的出现和发展是受到光纤陀螺的驱动，并成......
波分复用(WDM)技术是光纤通信技术重要的技术革新,是推进光纤通信网络继续蓬勃发展的主要技术动力。半导体激光器是光纤通信网络中......
用浅Ｐ＾＋离子注入ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓＰ应变多量子阱（ＭＱＷ）激光器Ｈ２／Ｎ２混合气氛下的快速退火，体内ＭＱＷ层发生组份混合（ｉｎｔｅｒｍｉｘｉｎｇ），导致器件的带隙波长蓝移（ｂｌｕｅ ｓｈｉｆｔ），结构的光荧光（ＰＬ）峰值波长向短波方......
大功率半导体激光器以其高效率、大功率和高可靠性等优点在泵浦固体激光器、光纤通信、材料加工、医疗、激光打印等方面获得了广泛......
