超晶格材料相关论文
我们使用基于混合基表示的第一原理赝势法研究了(AlP)/(AlN)和(AlAs)/(AlN)(n=1~5)应变短周期超晶格材料.其中假设(AlP)/(AlN)短周......
综述了近年来对InAs/InGaSb超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。制作了一系列不同In组分的超晶格材料,I......
近些年,InAs/GaSb II型超晶格材料很多方面的性质已经得到研究,本文中,我们利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的方法在GaSb衬底上......
红外波段是光学技术中非常重要的波段，在军用和民用方面有着广泛的应用，如环境监控、痕量气体探测、长距离超低损耗光纤通讯、激光雷......
本文对长波9.8微米的超晶格红外探测器吸收区分别进行2.5X1015cm3,5EX1015cm一3,7.5X1015cm一3,1X1016cm3,1.5X1016cm3五个浓度的P......
锑化物 Ⅱ 类超晶格材料特殊的能带结构使得其在理论上具有诸多优势，如探测波段覆盖广、对垂直入射光有响应、设计自由度高、截......
三维纳米晶超晶格是由尺寸均一的纳米粒子通过表面包覆的长链小分子配体的分子间相互作用，有序自组装排列而成的三维密堆积型纳......
因具有特殊的错开型能带结构,InAs/GaSb II型超晶格材料在红外探测领域具有广泛的应用前景,是目前国际上的研究热点。与传统红......
InAs/GaSb超晶格结构具有Ⅱ型能带结构，从而电子和空穴空间分离，这使得InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料具有俄歇复合率小、载流子寿命......
本文利用分子束外延技术(MBE)制备了InAs/GaSbⅡ型超晶格材料，然后采用透射电镜(TEM)对材料的微观结构进行了分析，旨在为超晶格......
近些年,InAs/GaSb II型超晶格材料很多方面的性质已经得到研究,本文中,我们利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的方法在GaSb衬底上......
本文采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10 K光荧光谱......
本文针对沿任意方向生长的立方晶系超晶格材料,讨论内应变随温度的变化关系,并给出了应变分量与温度的解析关系;在此基础上进一步......
介绍制备超晶格结构材料的ＭＢＥ技术，以及材料性能和器件应用情况；从微结构设计出发，比较深入地研究了平面掺杂ＧａＡｓ／Ａｌ（Ｇａ）Ａｓ超晶格结构二维电子气有关性......
Ⅱ类量子点的外延生长和性能表征在国内外已有多家研究单位开展，但多集中于在GaAs衬底上进行生长，在InP衬底上进行的主要是InAs量子......
红外探测器在军事和民用上都有着极其重要的应用，如：夜视、导弹制导、潜艇探潜、医疗诊断、污染监测、矿藏探测等。随着红外探测技术......
该文首先用非平衡分子动力学方法计算了讨论了交界面对于虚拟超晶格材料平面方向热导率的影响.在研究中作者发现,超晶格材料的两种......
InAs，GaSb，AlSb等材料的晶格常数接近6.1(A)，所以统称其为“6.1家族”。由于“6.1家族”材料的晶格常数相差很小，材料生长工艺相对简单......
近年来硅基纳米材料的研究已成为光电子领域中的一个新的热点,它的核心问题是如何实现高效率的硅基发光器件,以便于同其他的硅基光......
近年来,利用准相位匹配的光学超晶格材料不仅以其多样高效的非线性过程在非线性光学和量子光学领域基础研究中大放异彩；同时也走出......
对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂......
利用量子干涉效应,提出设计GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器能带结构的方法。此法比K-P方法简便易行,而且随着势垒宽度的增加,两......
2007年2月27日，南京大学闵乃本院士课题组凭借《介电体超晶格材料的设计、制备、性能和应用》站到了2006年国家自然科学一等奖的领......
2007年2月27日．南京大学闵乃本院士课题组凭借“介电体超晶格材料的设计、制备、性能和应用”站到了2006年国家自然科学一等奖的领......
建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程，并对(HgS／CdS)nHgS线状超晶格作具体计算，探讨了势阱和势垒宽度对电......
南京大学固体微结构物理国家重点实验室闵乃本院士研究组的“介电体超晶格材料的设计、制备、性能和应用”成果获得了2006年度的国......
本文在有效质量近似下，使用变分法完成了非对称势阱中施主杂质的基态和前四个激发态的束缚能计算。给出了位于势阱中心的施主杂质这......
从Maxwell方程组出发,研究了一种新的非线性光学效应--Cascaded二级非线性现象,推导了依赖于光强的折射率变化--类克尔效应,分析了......
我们以掺Fe的高阻InP作衬底材料,在国产MBE-Ⅲ型设备上,采用调制掺杂技术,成功地生长出了p型ZnTe:Sb-ZnSe应变层超晶格材料。室温......
用分子束外延在有刻槽的{001}硅衬底上生长了 GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As超晶格材料,利用横断面透射电子显微术对非平而异质结的生长......
期刊
本文报道用常压金属有机物气相外延方法在 GaSb衬底上生长 Ga_(1-x)In_xSb/GaSb应变层超晶格材料.X射线双晶衍射谱和反射电子显微......
本文通过X射线双晶衍射和计算机模拟摇摆曲线方法研究了在Si(001)上生长的GexSi1-x/Si(x≈0.46)应变层超晶格在不同退火条件下的稳......
对晶格与ＩｎＰ匹配的ＩｎＧａＡｓＰ超晶格结构外延片，运用等离子增强化学气相沉积法镀ＳｉＯ２膜，随后用碘钨灯快速热退火，进行无杂质空位扩散（ＩＦＶＤ）技术的实验研究，测量......
在利用MOCVD方法制备的调制掺杂GaAs/AlGaAs多量子阱超晶格材料中,由于深能级杂质形成的非辐射复合中心的存在,使样品具有较大的暗......
本文通过X射线双晶衍射和双晶摇摆曲线的计算机模拟方法研究了在Si(001)上生长的Ge0.5Si0.5/Si应变层超晶格的结构及完整性，结果表......
国家光电子工艺中心的纳米技术研究葛璜，胡雄伟，王圩（国家光电子工艺中心，中国科学院半导体研究所）０引言下一代光电子器件是量子效应光电......
中国科学技术大学化学与材料科学学院、合肥微尺度物质科学国家实验室谢毅教授课题组在石墨烯基超晶格材料的合成及应用领域取得重......
采用Huybrechts线性组合算符和幺正变换法，导出了晶体中电子与表面光学声子和表面声学声子均为弱耦合极化子的有效哈密顿量，并对两种......
调制光热技术提供了基于测量均匀材料热扩散率的线性关系的有效方法.本文分析了这类线性关系对层状复合层和超晶格材料的适用性,讨......
在国产第一台ＣＢＥ设备上，用ＧＳＭＢＥ技术在国内首次研究了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长，用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负......
本文用非平衡分子动力学方法计算了超晶格材料内部热流的组成和分布,发现在固体中,热能主要是通过分子间作用力做功的方式传递,此......
总结了分子组装技术及超晶格研究的历史，介绍了分子组装技术制备超晶格的几种方法。...
