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椭偏技术是一种通过测量光束在介质界面上反射或透射时偏振态的变化情况来研究待测样品的光学性质和表面形貌的技术手段。椭偏仪测......
SiC作为第三代半导体材料,因其优良的物理、机械性能等,日益成为电子器件、耐磨材料、核材料等方面研究的热点。在核材料方面,SiC/S......
PVT法生长的SiC单晶体依然存在大量的缺陷使其优良特性难以发挥,故对这些结构缺陷进行研究并且能在某些具体过程中进行有效的控制,对......
利用双光束分光光度计对高温退火前后的掺氮和未掺杂6H-SiC晶体的透射及反射谱进行了分析,发现无论退火前后,两种SiC晶体在紫外区......
6H-SiC bulk crystals have been prepared by sublimation method in an indu-ctively heated growth reactor. The effect of ni......