ALN基板相关论文
无源器件是MMIC电路中必不可缺的部分,本文研究了AlN基板上几种关键无源器件的制作工艺.电阻的方阻为16.85Ω/□,在微波测试中表现......
介绍了AlN基片所用厚膜浆料的产品性能。从金属粉体的制备，粘结方式探索和烧结工艺的改进等方面综述了该领域的研究进展。目前粉体......
采用反应厚膜法实现了AlN基板表面的铜金属化,借助SEM、XRD分别对烧结后的厚膜层、还原后的铜金属化层以及界面层的成分和形貌进行......
本文在充分了解大功率LED封装基板及其表面金属化的基础上,采用反应结合型厚膜工艺制备AlN金属化基板。通过在AlN基板丝网印刷铜电......
第三代半导体GaN与AlN合成的AlxGa1-xN三元合金晶体材料随着Al组分的变化其禁带宽度不但变化范围大（3.4eV～6.2Ev）且连续可调,对应吸收......
