AlGaN材料相关论文
AlGaN基材料作为带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料，是制备紫外光电子器件的理想材料。在无法获得大尺寸、低成本的同质衬底的情......
工作于日盲紫外波段的光电探测器,在导弹逼近告警、超高压与特高压输电线路漏电电晕探测等国防和民用领域有着重要的应用前景和市......
GaN基LED技术是实现半导体照明的关键技术，GaN基深紫外LED不仅具有高的白光转化效率，而且还在医疗、净化等方面有重要的应用。然而制......
AlGaN尤其是高Al组分AlGaN材料由于其在紫外LED，LD，紫外探测器以及高温、高功率电子器件中的广阔应用前景而深受国际上的关注。但AlG......
采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜,其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec,表面粗糙度为2.021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的......
初步研究了采用Cl2/Ar/He等离子体对MOCVD生长的背照射Al0.45Ga0.55N材料的ICP干法刻蚀工艺.采用离子束溅射生长的Ni作为刻蚀掩模,......
采用脉冲法生长了200nm厚的AlN薄膜，其XRD摇摆曲线的半高宽为130arcsec，表面粗糙度为2．021nm。以此AlN层为基板生长了不同Al组分的AlG......
AlGaN基材料不仅具有稳定的物理和化学特性,而且随着Al组分的变化,其禁带宽度从3.4-6.2 e V连续可调,对应波长覆盖了200-365 nm的......
基于Ⅲ-N化合物材料的光电探测器在光通信、烟雾报警、生物化学物质检测等方面有着广泛的应用潜力。近年来,Ⅲ-N化合物光电探测器......
AlGaN材料在室温下的禁带宽度范围为3.4～6.2 eV,它可用于制备紫外发光器件和紫外探测器。紫外探测器具有重要的应用价值,如保密通信......
