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AlN包覆GaN复合结构相关论文
AlN包覆GaN纳米线复合结构制备及第一性原理研究
氮化镓(GaN)为Ⅲ-Ⅴ族性能优异的直接宽带隙半导体材料,具有功函数小、热导率高、物化性质稳定以及熔点高(1500℃)等特点,是一种很......
学位
GaN纳米线
AlN包覆GaN复合结构
第一性原理
化学气相沉积
功函数
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