GaN纳米线相关论文
以GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族直接带隙半导体由于具有带隙宽（Eg=3.39 eV）、低的功函数（4.1 eV）,好的物理和化学稳定性,机械强度,以及低的电子......
随着物联网和人工智能产业的兴起,亟需低功耗、高稳定性的微纳传感器。目前,商用的半导体气体传感器通常采用金属氧化物（如SnO2）纳米......
Ga N纳米材料作为纳米功能器件的核心部件,其空间电荷层随外部条件的变化特征及电学性能对器件的设计以及使用都至关重要。本文利......
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)方法，以Au 为催化剂，在n 型(100)Si 衬底上成功制备了纤锌矿结构的GaN 纳米线。本文摒弃在传统制......
稀磁半导体(Diluted magnetic semiconductors,DMSs)因兼具磁性和半导体特性而引起广泛研究,预计应用于自旋电子器件、自旋-场效应......
实验表明,不同缺陷类型对低维GaN材料如薄膜、纳米线等的能带、光学性能有非常明显的影响.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理......
利用自主组装设计的等离子增强化学气相沉积系统(PECVD),用N2、H2 替代常用的NH3,在Si 衬底上制备大面积高质量的GaN 纳米线,考察......
氮化镓(GaN)为Ⅲ-Ⅴ族性能优异的直接宽带隙半导体材料,具有功函数小、热导率高、物化性质稳定以及熔点高(1500℃)等特点,是一种很......
GaN是宽禁带直接带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,禁带宽度3.4eV,物理和化学性质稳定,热导率高、饱和电子飘移速率大、临界击穿电场高,电......
氮化镓(GaN)材料是一种优异的宽禁带半导体材料,由于其具有优良的光电特性,所以受到科技工作者的广泛关注。众所周知,GaN材料具有......
氮化镓(GaN)做为一种重要的Ⅲ-Ⅴ族化合物,因其优异的化学稳定性、高电子迁移率、高熔点、高热导率和禁带宽度等优点而在微电子和......
高速发展的电子信息行业助推了微电子技术进步。其中一维纳米半导体材料因独特结构表现出异于块体材料的物理化学新性能成为关注热......
GaN是一种直接宽带隙半导体材料,其禁带宽度为3.4 eV,有稳定的化学和物理性质,被应用在LED、激光二极管和紫外探测器及高功率器件......
GaN纳米材料具有带隙宽、力学强度好、热导率高、物理和化学稳定性好、载流子迁移率高等优点，成为新一代化合物半导体材料的研究热......
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3 薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3 薄膜进行氨化,高温下ZnO......
Nano Letters发表了大连理工大学黄辉教授团队的一项研究成果——无漏电流“纳米线桥接生长技术”。这项技术解决了纳米线器件的排......
用氨化溅射Ga2O3薄膜的方法,成功地合成了一维GaN纳米线.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)......
采用化学气相沉积法在石英衬底上沉积出锌掺杂的GaN纳米线。利用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线能谱仪（EDS）和拉曼光谱（Rama......
采用低成本、易操作的溶胶．凝胶法制备高质量的GaN纳米线。以硝酸镓为镓源、柠檬酸为络合剂制备出前驱物溶胶，甩胶于覆有催化剂的Si（1......
采用化学气相沉积法,通过金属镓和氨气的直接反应,在石英衬底上沉积出GaN纳米线。利用XRD和SEM对制备的GaN纳米线进行了结构和形貌......
利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜，然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO／Ga2O3薄膜进行氨化，高温下ZnO层在氨......
通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2O3薄膜, 在石英衬底上反应自组装生成了高质量的GaN纳米线. 用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)......
采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外......
GaN是一种具有优越热稳定性和化学性质的宽禁带半导体材料,这种材料及相关器件可以工作在高温、高辐射等恶劣环境中,并可用于大功......
采用一种绿色的等离子增强化学气相沉积法,以Al2O3为衬底, Ga金属为镓源, N2为氮源,在不采用催化剂的情况下,成功制备获得了结晶质......
利用原位透射电子显微术,研究了单根GaN纳米线I-V曲线与热效应、电击穿和压电效应的关系.在透射电子显微镜内构建一个基于GaN纳米......
GaN纳米材料以其特有的量子限制效应、库仑阻塞效应、以及高的比表面积和线内极好的单晶性能而日益受到重视。本文采用物理气相输......
考虑量子结构的各向异性,基于双参数变分方法理论分析了准一维GaN-基纳米线结构的类氢杂质态光学特性。数值结果表明,GaN纳米线体......
通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线,用金属镁粉末作为掺杂源,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化G......
采用射频磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Nb薄膜,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化制备GaN纳米线。用X射线衍射（XRD）、傅立......
用简单化学反应的方法,采用非空间限制的条件,成功地在LaAlO3衬底上制备了GaN纳米线.分别用X射线粉末衍射、场发射扫描电镜和高分......
采用化学气相沉积法，通过改变催化剂和衬底，以Ga_2O_3和GaN的混合粉末为镓源制备出了不同生长方向的GaN纳米线，制备的平躺于衬底的GaN......
采用磁控溅射的方法在Si（111）衬底上溅射沉积Ga2O3／Cr膜，并通过氨化的方法在Si（111）衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料，研究了不......
GaN光电阴极是紫外光电倍增管、紫外探测器等光电子器件的重要组成部分,在公安、航天、高能物理领域等领域有着广阔的应用前景。目......
