BiCMOS器件相关论文
介绍了在一种互补双极CMOS兼容工艺中通过减压/低温外延增加有效外延层厚度，及采用LDD结构，分别提高BJT和MOSFET耐压特性的工艺与器......
设计了一种用于SDH系统STM-64（10Gb／s）速率级光接收机中的BiCMOS放大电路，包括NMOS共栅一共源前置放大器和差分式BiCMOS主放大器；各个放......
为了改善其速度和电流驱动性能，设计了两例BiCMOS模拟电子开关电路。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管（BJT），而在电......
依据带隙基准原理,设计了一种基于90 nm BiCMOS工艺的改进型带隙基准源电路。该电路设置运算跨导放大器以实现低压工作,用共源-共......
为了提高数字通信电路的速度，设计了两种BiCMOS开关电流存储器。设计过程中在电路的关键部位配置有限的双极型晶体管（BJT），但在电路的......
设计了一种0.13μm BiCMOS低压差线性稳压器(LDO),包括BiCMOS误差放大器、带软启动的BiCMOS带隙基准源、"套筒式"共源-共栅补偿电......
1990年后,BiCMOS(Bipolar+CMOS)技术获得迅速发展,SiGe BiCMOS技术经历了从实验室研究到大批量生产的发展,锗硅合金技术成为射频电......
近年来由于集成工艺水平的提高,电路设计技术的不断改进,设计模拟集成电路得到了较大的进展,同时也对所设计电路的性能提出了新的......
