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Nonlinearity caused by the clock feed-through of a bootstrapped switch and its compensation techniques are analyzed.All ......
The effect of substrate doping on the flatband and threshold voltages of a strained-Si/SiGe p metal-oxide semiconductor ......
In this paper, 0.15-μm gate-length In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As InP-based high electron mobility transistors(HEMTs) ea......
利用静电场原理复现微小力值(≤10-5N)的系统主要包括电容梯度测量模块和平衡电压监测模块。在对测量原理进行深入分析的基础上,得出......
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报道一种用于测量气固两相流固相浓度的电容式浓度传感器。该传感器由沿管道轴向布置的两对相同电极板构成。两对极板的方位不同,相......
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