CMOS反相器相关论文
近几十年,晶体管的特征尺寸一直按照摩尔定律逐渐缩小,来到纳米尺度后,越来越严重的短沟道效应极大阻碍了器件性能的进一步提升。......
过去的几十年中,互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺主导了主流的半导体集成电路（IC）技术。控制短沟道效应、提高工作速度、降低功耗密度......
吸收剂量是辐射效应研究中最重要的物理量,器件参数随吸收剂量的变化规律是效应研究的依据。由于电子元器件尺寸小,无法直接测量器......
作为工业生产和科学研究等活动获取信息的主要途径和手段,传感器为人们探知新事物、测量和控制提供着必要的条件和依据。电阻式和......
图1是经典的Colpitts振荡器电路,它生成一个有固定占空比的时钟信号。用一个电压比较器代替其中的CMOS反相器门（图2）,就可以获得一个......
针对小尺寸CMOS反相器的单粒子瞬态效应,分别采用单粒子效应仿真和脉冲激光模拟试验两种方式进行研究.选取一种CMOS双反相器作为研......
CMOS电路中同时采用NMOS管和PMOS管,电路结构简单且规则,静态功耗非常小,在集成电路中用的较多。CMOS反相器是静态CMOS逻辑电路的......
图1是经典的Colpitts振荡器电路,它生成一个有固定占空比的时钟信号。用一个电压比较器代替其中的CMOS反相器门(图2),就可以获得一......
双端固定石英音叉谐振梁是振梁加速度计中的重要力敏传感器,驱动电路与其相配合,实现谐振梁在谐振频率点处的信号输出,进而测量加......
研究了ＣＭＯＳ反相器在低电压功率模拟系统中的应用，基于对传统ＣＭＯＳ反相器电路的分析，提出了新颖的一阶低通、高通和全通ＣＭＯＳ滤波经具有工作电压低、......
在分析已发表的典型异或门电路的基础上,提出一种新型高性能的异或门电路,其电路核心部分仅3个晶体管,包括一个改进型互补CMOS反相......
应用PSpice9．2仿真软件对TTL和CMOS反相器的逻辑特性和电气特性进行了分析，结果表明，PSpice9．2可用于TTL和CMOS反相器的分析和设计，并可......
【正】 MOS门电路因为结构简单、功耗低、扇出系数大和便于集成,所以发展很快。许多中、大规模以及超大规模的数字电路中,越来越多......
虽然集成电路制造工艺在快速发展,但始终都是以几种主要的制造工艺为基础。文章介绍了0.18μm CMOS反相器的主要工艺流程,并对集成......
利用CMOS模拟电路理论,详细分析了CMOS反相器的大信号传输特性和小信号传输特性,并且给出了相应的MatLab和Pspice仿真结果.......
利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz~20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明：低频电磁干扰......
通过对CMOS数字电路器件及RF脉冲扰乱效应的模拟分析,比较了注入不同频率与功率的RF扰乱脉冲时对CMOS反相器输出逻辑电平扰乱甚至......
[摘 要] 本文结合负载电流以及输出电压的特性，提出了一种针对CMOS反相器的低频噪声模型，同时结合相应的试验，对模型的准确性进行了验......
以CMOS器件为基本单元的集成电路已成为当今世界LSI、VLSI、ULSI中应用最为广泛的一种电路结构,而现阶段CMOS电路系统中的闩锁效应......
在本征CMOS反相器直流传输特性和所提出的离子注入浅结近似理论基础上,研究了N+衬底外延P阱CMOS反相器的源-漏结泄漏电流失配对其......
设计并讨论了一种新颖的完全基于CMOS静态逻辑反相器设计的数字控制振荡器DCO结构（Digitally-Controlled Oscillator）,这种数字控制......
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用CMOS反相器作比较器设计了一个3位的高速低功率flash ADC核。该ADC核可以应用到分级型和流水线型结构的ADC中，实现更高的转换位数......
首先给出了电路前后级之间接口需要满足的原则,之后介绍了与TTL兼容电路的输入电平,在给出了CMOS反相器转换电平的定义基础上,详细......
传统利用两个单限比较器实现窗口比较器的方案电路结构较复杂,且同时只能输出一个极性的脉冲,设计一种新颖的基于CMOS反相器的脉冲......
高功率微波(high power microwave,HPM)极易通过耦合途径作用到电子系统上,并导致其发生扰乱、退化甚至损伤效应,给电子系统带来极......
本文介绍了一种与温度无关的低功耗电流饥饿型环形振荡器，与普通RC、LC等振荡器相比，此振荡器要求的工作电流更小，因此功耗较小，使用的......
摘要 针对“数字集成电路设计原理”课程中CMOS反向器电压传输特性曲线难以被学生理解的教學难题，利用MATLAB进行建模，并通过三维图......
针对VGA分配器因电路复杂、基色信号放大不平衡、信号波反射等引起的图像偏色、拖尾、重影等缺陷,在分析了CMOS反相器的电压传输特......
随着集成电路集成度的提高,器件的特征尺寸不断减小,电磁脉冲对集成电路的损伤效应越发明显。电磁脉冲可以通过金属互连线或者孔缝......
本文从集成电路内部结构,实验测试分析比较了CMOS反相器和CMOS与非门作为放大应用时两者之间特点与差别.测试数据、电压传输特性和......
近年来日趋复杂的电磁环境与尺寸不断缩小的现代集成电路间的相互作用问题已成为电磁脉冲技术与微电子可靠性领域的一个研究热点。......
在CMOS数字电路器件中,最典型的基本单元门电路为反相器,它是CMOS数字电路分析设计的基础,因此CMOS数字器件电路级微波扰乱效应研......
本文主要研究了在交流工作条件下，基于多晶硅（polycrystalline silicon，poly-Si）薄膜晶体管（thin film transistor，TFT）技术的CMOS反相器......
从逻辑功能和工作速度等角度,分析总结了当前三种类型的单相时钟动态CMOS反相器,总结得出了构造各种高速CMOS动态D触发器的方法。......
随着计算机技术的飞速发展,逻辑电路在很多领域都发挥着重要的作用。在集成电路中,尤其是摩尔定律即将失效,为了有效的延续摩尔定......
薄膜晶体管(TFT)是主动矩阵液晶显示(LCD)与有机发光二极管(AM-OLED)显示面板的关键元件，主要用于制作显示面板的驱动电路。相比较......
近年来,高功率微波(HPM)对以计算机为代表的数字电路扰乱、毁伤作用以及防护技术研究成为众多学者关注热点。为了进一步分析微波脉......
随着现代电子技术的快速发展,高速数字电路系统设计已成为当今电子设计的主流,复杂的电磁环境对高速、高密度和系统化的数字电路系......
由于现代电子设备周围的电磁环境越来越复杂,加之微电子技术的不断更新,半导体器件尺寸的持续缩小,导致电子设备中半导体器件对高......
从基本半导体物理出发，通过求解载流子连续性方程，建立了能够定量描述引起CMOS反相器内部瞬态闩锁效应的微波脉冲功率阈值与脉冲宽度......
随着物联网技术的不断发展,无线通信成为了物联网技术发展的关键技术。射频接收机是无线通信系统的重要功能模块,而压控振荡器（volt......
