在CMOS数字电路器件中,最典型的基本单元门电路为反相器,它是CMOS数字电路分析设计的基础,因此CMOS数字器件电路级微波扰乱效应研究大多集中在CMOS反相器。为了更好地了解外界电磁干扰脉冲对反相器工作状态的影响,本文以SN74AHC04级联CMOS反相器作为研究对象,采用直接注入微波脉冲的方法对级联CMOS反相器进行扰乱/翻转效应研究,本文的主要工作是进行了级联CMOS反相器HPM效应的模拟及实验研究,通过模拟计算与实验数据的对比总结其中效应规律。本论文采用了一种CMOS反相器微波扰乱效应电路模拟方法,重点研究注入微波脉冲功率、频率、脉宽、脉冲前沿等参数以及反相器工作电压对效应结果的影响,同时也对级联CMOS反相器高、低电平及上升沿与下降沿注入不同频段、不同功率的微波扰乱脉冲进行了大量实验研究。模拟结果与注入实验数据比较吻合,表明文中采用的SPICE反相器模拟模型可以较好用于CMOS数字电路微波扰乱效应研究。模拟计算与实验研究显示,本文所研究的级联CMOS反相器输入逻辑电平的高低及反相器工作电压不同都会影响扰乱/翻转阀值;从注入功率角度来看,级联反相器输出扰乱电平与注入功率之间不是简单的线性关系,即随着注入功率的增加反相器扰乱电平并非单调递增或递减;扰乱阀值因注入频率不同而存在较大差异。总结出的这些效应规律可为了解和掌握CMOS数字电路器件与系统整体HPM效应机理规律提供一定的参考价值。