CuInSe2相关论文
随着人类社会的发展,人们对能源的需求越来越大,然而,目前人们普遍使用的能源如煤炭、石油等都不是可再生能源,这些能源正在枯竭。......
在作为薄膜太阳能电池吸收层的材料中，以CuInSe2为基础的半导体材料被认为是制作高效低成本太阳能电池最有潜力的材料，其实验室......
以乙二胺为溶剂,CuCl2.2H2O、InCl3.4H2O和Se粉末为反应物,采用低温溶剂热工艺制备了铜铟硒(CuInSe2,简称为CIS)纳米粉末。通过X射......
以硝酸铟、硝酸铜及硒粉为原料,以乙醇胺和无水乙醇作为溶剂,采用溶剂热法合成了铜铟硒(CuInSe2,简称为CIS)微纳米晶,通过单因素实......
由于结构的特殊性、性能的复合性以及功能的多样性,异质纳米结构一直受到广泛的关注。基于金属合金过渡层,我们发展了一种多步......
利用太阳能电池直接将太阳能转换成电能是解决能源枯竭和地球环境污染等问题的一个最好、最直接、最有效的方法之一。由CuInGaSe(C......
The interface energies and electronic structures of(112) grain boundaries of Cu In Se2 thin films were investigated by f......
利用两源蒸镀Cu-In合金膜,在半封闭石墨盒中硒化,制备了具有单一黄铜矿结构的CuInSe2(CIS)薄膜.实验研究了合金膜组分与薄膜结构、......
利用氮气作保护气体,用元素合成法进行开管烧结,合成具有单一相黄铜矿结构的CuInSe2多晶材料.用真空双源蒸发方法,通过精确控制CuI......
概述了CuInSe2太阳能电池技术,CuInSe2材料的最新发展;同时也介绍了CuInSe2薄膜的特性:非常高的光吸收系数(>105 cm-1),可以将薄膜......
将Cu、In粉均匀混合后放入刚玉管式真空炉中热烧结3 h制备Cu-In合金,烧结温度950℃。将制备好的Cu-In合金研磨成粉后再与Se粉均匀......
将Cu、In、Se单质粉末研磨制备了黄铜矿型的CulnSe2（CIS）多晶粉末。研磨过程中冒出红色烟雾，发生了机械力诱导自蔓延反应（MSR）。通过实......
CuInSe2 (CIS) thin film was prepared on molybdenum substrate using pulse-plating electrodeposition in aqueous solution. ......
CuInSe2 (CIS) precursor films have been prepared by electrodeposition in aqueous solution. The electrodeposited films we......
ＣｕⅢⅥ２族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置，ＣｕＩｎＳｅ２是ⅠⅢⅥ２族的一个成员，其带隙能为１ｅＶ，光吸收系数较大，有希望成为潜在的太阳能......
报道了热处理对电沉积ＣｕＩｎＳｅ２薄膜的表现形貌，结构及光电性质的影响。...
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采用简单的二电极系统,以大面积的铂网为阳极,钼或不锈钢薄片为阴极,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电沉积液,利用一步电沉......
采用简单的二电极系统,以大面积的铂网为阳极,钼或不锈钢薄片为阴极,以氯化铜、三氯化铟、亚硒酸的水溶液为电沉积液,利用一步电沉......
在Cu衬底上用电沉积的方法沉积金属In，再通过硒蒸气硒化处理成功制备了CuInSe2薄膜。用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线能谱（EDS）对......
在Cu衬底上用电沉积的方法沉积金属In，再通过硒蒸气硒化处理成功制备了CuInSe2薄膜。用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线能谱（EDS）对......
用CuInSe2制造的太阳电池是仅有的三种产业化的化合物薄膜太阳电池之一.电化学沉积CuInSe2的方法具有价格低、低温成膜、可大面积......
CuInSe2 (CIS) thin film was prepared on molybdenum substrate using pulse-plating electrodeposition in aqueous solution. ......
ＣｕＩｎＳｅ２是极具潜力的太阳电池新材料，其能量转换效率、使用寿命和抗辐射性能力是当今复晶及非晶薄膜太阳电池研究中的最高纪录。本文从材料......
ＣｕＩｎＳｅ２是极具潜力的太阳电池新材料，其能量转换效率、使用寿命和抗辐射性能力是当今复晶及非晶薄膜太阳电池研究中的最高纪录。本文从材料......
综述了国内外太阳电池及其材料的发展概况。目前应用的光电转换材料主要有硅材料和化合物半导体材料，介绍了用这几类材料制作的太阳......
着重介绍了CuInSe2的结构和光、电学特性；讨论了多各上薄膜沉积技术；评价了主要的合成装置及其作途；综述了制备CuInSe2太阳电池器件的......
利用元素合成法合成了具有单一黄铜矿结构的CuInSe_2(CIS)多晶材料。通过微处理机控制系统,控制蒸发CIS和Cu或控制蒸发CIS和Se制备......
采用低成本的无机盐为前驱体,通过溶胶凝胶法制备了高质量的黄铜矿结构CuInSe2太阳能电池光吸收层薄膜.先将制备得到的溶胶通过旋......
研究并讨论了三乙醇胺、柠檬酸、酒石酸和甘氨酸作为络合剂对电沉积CuInSe2薄膜的组成及表面质量的影响情况,结果显示三乙醇胺及柠......
黄铜矿型ＣｕｌｎＳｅ２（ＣＩＳ）多晶薄膜具有优良的光伏特性。在对现有制备工艺进行了对比分析的基础上，首次采用ｓｏｌ－ｇｅｌ法制备了Ｃｕ２ｌｎ２Ｏ５（ＣＩＯ）薄膜，经Ｓｅ化获得了结构均匀、表面平......
采用溶剂热合成方法，以CuCl2·2H2O为铜源，InCl3·4H2O为铟源，Se粉为硒源，以乙二胺为溶剂，合成了CuInSe2粉末。利用场发射扫描......
概述了CuInSe2太阳能电池技术，CuInSe2材料的最新发展；同时也介绍了CuInSe2薄膜的特性：非常高的光吸收系数(>10^5cm^-1)，可以将薄膜做......
Ｃｕ－Ⅲ－Ⅵ２族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置，ＣｕＩｎＳｅ２是Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２族的一个成员，其带隙能为１ｅＶ，光吸收系数较大，有希望成为潜在的太阳能材料。......
Ｃｕ－Ⅲ－Ⅵ２族系列的黄铜矿型半导体化合物可用于光电装置，ＣｕＩｎＳｅ２是Ⅰ－Ⅲ－Ⅵ２族的一个成员，其带隙能为１ｅＶ，光吸收系数较大，有希望成为潜在的太阳能材料。......
采用电化学沉积法制备了太阳电池用CuInSe2薄膜.利用循环伏安法（CV）、X射线能谱（EDS）和X射线衍射技术（XRD）研究了电沉积过程中CuInSe2的......
采用电化学沉积法制备了太阳电池用CuInSe2薄膜.利用循环伏安法（CV）、X射线能谱（EDS）和X射线衍射技术（XRD）研究了电沉积过程中CuInSe2的......
本文提出了精确测量内建电压ＶＤ的Ｗ（结宽）－Ｎｅｆｆ＾－１／２（Ｎｅｆｆ为有效空间电荷密度）新方法。文中严格证明了由Ｗ－Ｎｅｆｆ＾１／２曲线的斜率可计算异质结的ＶＤ。在零偏压下测量了ＣｄＳ／ＣｕＩｎＳｅ２异质......
本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物（ITO）基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能......
本文采用一步恒电位沉积法在铟锡氧化物（ITO）基底上制备CuInSe2薄膜,研究了沉积过程中不同的离子浓度配比及pH值对CuInSe2膜结构性能......
