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利用两源蒸镀Cu-In合金膜,在半封闭石墨盒中硒化,制备了具有单一黄铜矿结构的CuInSe2(CIS)薄膜.实验研究了合金膜组分与薄膜结构、形貌的关系.探讨了不同硒化温度对CIS薄膜组织结构、成分和晶粒尺寸的影响.结果表明,单一结构有利于Cu-In合金膜的均匀和平整.硒化过程中,随着硒化温度的升高Cu的损失量增加,In的损失量相对减少;在300°C硒化时开始出现CIS黄铜矿结构,350°C硒化所得薄膜绝大多数为CIS结构,500°C制得单一结构的CIS薄膜.