D锁存器相关论文
在航空航天等高辐射领域中,电荷共享效应引起的多节点翻转(Multiple-Node Upset,MNU)在D锁存器中愈发频繁,其可严重影响电子系统的......
本文提出了一种新型低功耗D锁存器,通过在直接交叉耦合D锁存器的接地端串联一个由输出反馈控制的NMOS管,部分消除了锁存器状态转换......
提出了一种可逆双边沿D触发器的设计方法,该方法利用Feynman可逆逻辑门的信号复制特性,实现可逆D锁存器的设计.然后利用双边沿触发......
介绍一种超高速4：1复接嚣集成电路。电路采用0．18μm CMOS工艺实现，供电电源1．8V。电路采用源极耦舍场效应管逻辑（SCFL），与静态CMOS逻辑相......
共振隧穿二极管(RTD)作为一种较成熟的量子器件,具有独特的负内阻特性,由RTD组成的单双稳态转换逻辑单元(MOBILE)能够很好地利用该......
经过数学论证表明，改进反馈式ECL（MFECL）门可在二个状态中任一态保持稳定，所以认为MFECL门就是一种ECL记忆门或D锁存器．提出了一种由两......
6 控制关联Cm概念图解和器件示例其图形如图14所示。其中a1）为标准文本中符号S01558，a4）为S01559，它表示控制关联Cm，分别出现在输入或输......
以共振隧穿二极管（resonant tunneling diode）和三端共振隧穿器件RTD／HEMT为基本单元．设计了一个全新的1-of-2数据选择器，并以该数据选......
