该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......

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在(111)InSb 和(100)GaAs 衬底上,用分子束外延技术生长了 InSb 和 InAs_xSb_(1-x)外延层。用自动电化学 C—V 法测量了外延层的载......

对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究，提出了在低阻P型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法，使外延层的方块电阻达......

考虑压力对有效质量的影响,讨论电子迁移率随压力的变化,分别计算并比较了体ZnSe、ZnSe/GaAs外延层以及ZnSe/ZnS超晶格系统中电子......

由于当前多种技术同时被用于碳化硅（SiC）外延层质量表征,造成外延层和器件研制成本高、时间长、易损伤、不能在线检测等,限制了SiC外......

利用傅里叶红外光谱仪测量液相外延生长的Hg1-xCdxTe薄膜，发现未经腐蚀的原生薄膜材料红外透射光谱经本征吸收后有吸收边倾斜并伴有......

１ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＴｈｅＧａＳｂｓｉｎｇｌｅｃｒｙｓｔａｌｓａｒｅｏｆｔｅｎｕｓｅｄａｓｔｈｅｓｕｂｓｔｒａｔｅｍａｔｅｒｉａｌｓｆｏｒｐｒｅｐａｒｉｎｇｅｐｉｌａｙｅｒｓｏｆｌｉｇｈｔｅｍｉｔｉｎｇａｎｄｌｉｇｈｔｄｅｔｅｃｔｉｎｇｄ.........

本文介绍了一种使用Ｘ射线宽角测角仪和双晶测角仪相配合的检测半导体体异质外延薄膜的方法。其特点是快速且不损样品，特别适合大于配......

首次用光调制反射光谱的实验测量方法,在～10K下对In_(1-x)Al_xSb(0≤x≤0.55)外延层的光跃迁E_1和E_1+△_1及其谱线展宽ω,进行实验......

用最新发表的ＨｇＣｄＴｅ材料的光学常数对ＭＢＥ工艺生长的ＨｇＣｄＴｅ／ＣｄＴｅ／ＧａＡｓ材料的透射光谱进行了理论计算，对受生长工艺破坏的衬底背面再次进行抛光处理，消除因表面不......