GE组分分布相关论文
基区Ge组分的加入可以改善SiGe HBT的直流特性、频率特性和噪声特性,但Ge组分及其分布对HBT热学特性的影响报道还很少.本文利用SIL......
SiGe异质结双极晶体管(Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较高的线性度，且与成熟的Si工艺......
功率异质结双极型晶体管(HBT)具有高输出功率、优异的高频特性、较宽的线性和高的效率，在微波功率领域得到广泛应用，并扮演着越来越......
基于半导体器件仿真工具SILVACO TCAD,研究了三种常见的基区Ge组分分布(矩形、梯形和三角形)对多指功率SiGe异质结双极型晶体管(HB......
建立了SiGe HBT热电反馈模型,对基区Ge组分矩形分布、三角形分布和梯形分布的SiGe HBT的热特性进行研究。结果表明,在Ge总量一定的......
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率.本文就基区中Ge组分分布的三种......
对高频下的SiGe HBT器件击穿特性进行了研究。借助TCAD仿真工具,分析了影响器件击穿特性的基区Ge分布与集电区掺杂浓度超结结构。......
为了提高SiGe异质结双极型晶体管（heterojunction bipolar transistors,HBTs）电流增益和特征频率温度热稳定性,首先研究基区杂质浓度......
功率异质结双极型晶体管（HBT）在微波功率领域具有举足轻重的地位。为了提高HBT的功率，通常采用多发射极指并联结构。每个发射极指的自......
众所周知,双极型晶体管的设计主要是基区的设计.一般而言,基区的杂质分布是非均匀的.本文首先研究了非均匀的杂质高斯分布对器件温......
宽温区大电流下的热不稳定性严重制约着功率SiGe异质结双极晶体管(HBT)在射频和微波电路中的应用.为改善器件的热不稳定性,本文利......
虚拟衬底结构的提出可有效降低SiGe异质结双极型晶体管(HBT)中衬底对基区SiGe外延层应力的影响,进而提高基区Ge组分,增大器件的电......
