Si掺杂相关论文
Ni2MnGa合金是一类新型的铁磁性形状记忆合金,具有多重优异的磁控功能,在磁驱动器件、磁传感器及磁制冷等领域具有巨大的潜在应用......
随着特征尺寸的不断减小,Flash存储器已经进入后摩尔时代,其发展的难度越来越高,同时短板也逐渐显现。阻变存储器（Resistive Random......
Ⅲ-Ⅴ族材料比Si具有更高的载流子迁移率和吸收系数,因此III-V族化合物半导体被广泛认为是新一代光电子器件取代Si更有前途的候选......
TiO2具有活性高，自身稳定，无毒，成本低，无污染等优点，是目前应用最广泛的纳米光催化材料，也是最具有开发前途的绿色环保型催化剂。特别是......
做 Si4+ 的 BaZr (BO3 )2:Eu3+ 黄磷被准备由一常规固态反应。Eu3+-O2 的费用转移状态上的 Si4+ 增加的影响？并且 BaZr (BO3 )2:Eu3......
用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料，它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒，７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ，表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析，位错密度约为７ ......
研究了Si在AlxGa1-xAs(0≤x≤1)中的掺杂行为.为比较Al組份对Si掺杂浓度的影响,在用气态源分子束外延生长(GSMBE)掺Si n型AlxGa1-x......
金属以及金属间化合物的表面抗氧化问题影响着材料的实际应用和发展,其中,γ-TiAl合金的表面氧化问题一直是人们关注的焦点。本文......
InxAl1-xN作为第三代的半导体材料,由于其具有禁带宽度在0.76.2 eV的范围内连续可调,临界击穿电压高、抗辐射能力以及化学稳定性好......
采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品......
以TiCl4和Na2SiO3为原料,采用水热法制备了一系列掺杂Si的纳米TiO2粉体。采用X射线衍射分析(XRD),红外光谱(FT-IR),紫外可见吸收光......
为了制备一种新型的硅掺杂金刚石薄膜，我们采用理论计算结合实验制备的方法对其进行了研究。已经有一些学者对硅掺杂金刚石薄膜进行......
铝镓氮(AlGaN)作为宽带隙半导体材料,不仅具有直接的宽带隙,而且具有优秀的物理和化学特性,被认为是很有发展潜力的半导体材料。本......
本文论述了Si掺杂SbTe相变存储介质及其器件的基础研究。 便携式电子产品的蓬勃发展要求未来的存储器必须具有速度快、存储密度......
本文采用第一性原理对纯Al2O3和Si掺杂的Si0.167Al0.833O1.5,Si0.25Al0.75O1.5晶体体系的能带结构、态密度进行了计算分析.结果发......
对钢铝复合材料高温时的界面化合物进行了系统研究并找到一定的方法抑制界面化合物的生成.要获得高品质的复合带材,就必须在高温时......
采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs)。通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品......
采用基于密度泛函理论的原子轨道展开方法的第一性原理计算了Mg1-xSixO体系的电子结构、用SIESTA软件包计算了Mg1-xSixO体系的晶胞......
以TiCl_4和Na_2SiO_3为原料,采用水热法制备了一系列掺杂Si的纳米TiO_2粉体.采用X射线衍射分析(XRD),红外光谱(FT-IR),紫外可见吸......
基于密度泛函理论第一性原理的平面波超软赝势法,研究了Si掺杂纤锌矿AlN的电子结构和光吸收性质。结果表明：杂质能级位于导带底附近......
为了探究si元素对反钙钛矿材料Mn3zn0.6Ge04N的负热膨胀和磁性能的影响，利用放电等离子体烧结法制备了一系列si掺杂的Mn3Zn0.6SixGe......
利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法研究了Al、Si和P掺杂对Ge在石墨烯上吸附的影响.Ge原子在完整石墨烯上吸附的最稳定位置......
采用LP-MOCVD技术在n-GaAs衬底上生长了AlGalnP/GalnP多量子阱红光LED外延片.以x射线双晶衍射技术和光致发光技术对外延片进行了表......
本文以十八胺为模板剂、钛酸四正丁酯为钛源,利用钛醇钛醇盐的水解制备TiO.分别以不同量的正硅酸乙酯对TiO进行Si改性,制备Si掺杂T......
通过高温热解聚合物前驱体方法制备Si掺杂BN纳米管．采用扫描电子显微镜（SEM）和透射电子显微镜（TEM）对样品的结构与形貌进行表征，结果表明......
采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了......
采用溶胶-凝胶法并结合水蒸气活化制备了Si掺杂TiO2纤维，通过TG—DSC，XRD，FT—IR，UV—Vis—DRS，N2吸附一脱附，SEM等手段对纤维样品的结构......
基于第一性原理,对Si原子在Au（111）表面和体内掺杂的电子结构和光学性质进行了比较研究。结果表明,在Au（111）体内掺杂时,Si原子与周围......
采用热压工艺以Ti、Al、Si元素粉和活性炭为原料，分别以2．0Ti／1．1Al／1．0C（摩尔比）及以0．1和0．2mol的Si取代Al，合成了Ti2AlC／Ti3AlC2块体材料。......
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Pure ZnO and Si-doped ZnO thin films were deposited on quartz substrate by using sol-gel spin coating process. X-ray dif......
Using pentacene as an active material, the organic thin film transistors were fabricated on Si3N4/p-Si substrates by usi......
采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了......
会议
长期以来,受黄绿光波段LED效率不高的限制,半导体照明技术只能采用蓝光LED激发黄色荧光粉的方式来实现。随着蓝光LED光效的不断提......
通过射频磁控溅射在单晶硅（111）和硬质合金衬底上制备Si掺杂的TiSiN纳米复合涂层。采用双靶溅射技术,保持Ti靶功率不变,改变Si靶的功......
采用第一性原理计算讨论了不同覆盖度下，存在空位缺陷和Si掺杂时，石墨烯吸附B原子的稳定外形、电子结构和磁性。计算表明，B原子吸附石......
TiO2是一种重要的n型金属氧化物半导体功能材料。近年来的实验与理论研究表明，运用杂质掺入来减小TiO2禁带宽度是提高其活性的一种......
研究了Si在AlxGa1-xAs（0≤z≤1）中的掺杂行为．为比较Al组份对Si掺杂浓度的影响，在用气态源分子束外延生长（GSMBE）掺Sin型AlxGa1-xAs（0≤x......
当前的环境污染状况日益严重,使得无毒、高效的TiO2光催化剂近年来成为新型无机功能材料研究的热点。但目前作为研究主体的TiO2纳......
LED作为第三代光源,具有节能、环保、寿命长、稳定性高、体积小等优点,可以广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源和固态照明等......
近年来,半导体光催化技术得到了快速的发展。在该领域的研究中,TiO2因其光催化能力强,无毒,且简便易得,成本低廉,一直受到人们的高......
以钛酸四丁酯为Ti源、正硅酸乙酯为Si源、乙酰丙酮为螯合剂、HNO3为催化剂、P123为模板剂,采用溶胶-凝胶法制备Si掺杂的TiO2介孔材......
采用基于密度泛函理论（DFT）框架下广义梯度近似平面波超软赝势法，计算了Si掺杂立方HfO2的电子结构及光学性质。计算结果表明，掺杂后立......
以TiCl4和Na2SiO3为原料,采用水热法制备了一系列掺杂Si的纳米TiO2粉体。采用X射线衍射分析（XRD）,红外光谱（FT-IR）,紫外可见吸收光谱（UV......
采用传统陶瓷工艺制备了Mn1．05-xCo0.92Ni0.03SixO4（0≤x≤0．05）系列NTC热敏电阻样品，借用XRD、SEM和电性能测试等手段，研究了Si掺杂量对......
InGaN系绿光LED的量子阱结构具有较高的In含量,InN与GaN之间较大的晶格失配度使得绿光器件的量子限制Stark效应更显著。对内建电场......
