采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了在300,400,500,600和700℃5种温度下TiO2分子在GaN（0001）表面吸附的动力学过程,......

采用基于第一性原理的从头计算分子动力学方法,模拟了300、400、500、600和700℃下SrO、BaO和TiO2分子在GaN（0001）表面吸附的动力学......

GaN材料因其独特和优异的光电磁热等综合性能在半导体研究和应用领域具有广阔的前景。而表面特性对其性能具有重要影响，故对GaN表面......