HBT工艺相关论文
采用21μm GaInP／GaHBT工艺研制了覆盖3G／LTE所有频段的高线性驱动放大器。放大器为1级有源偏置设计，部分输入输出匹配需要在外电路实......
随着光纤通信技术的迅速发展,带宽需求不断增大,光纤通信正向以智能化、集成化、低成本和高可靠性的新一代光通信网络演进。单片光......
随着无线通信技术的飞速发展和移动互联网的逐步部署以及用户需求的日益提高，无线通信对射频芯片的设计提出了更为严格的要求。多模......
长期以来工程师们忽视了无线通信系统1W和10W功率放大级的设计，而这部分技术对3G、WiMAX、OFDM等无线基础设施又是很重要的。对此。......
文章介绍了一种用IBM公司0．5μm SiGe BiCMOS HBT工艺设计的12Gbit／s用于光纤传输系统的限幅放大器。整个系统包括一个输入缓冲级、......
近日，中科院微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）HBT超高速电路小组在刘新宇研究员和金智研究员的带领下研制成功两款基于1μm Ga......
近日，中科院微电子研究所四室InPHBT小组研制成功基于In P／InGaAs DHBT工艺的静态分频器，测试结果表明此分频器可在大干40GHg频率下正......
首先对分布式放大器中L型和T型网络的频率特性进行了研究.分析表明,L型网络比T型网络在设计中具有更好的频率特性.基于稳懋半导体......
磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子......
锐迪科微电子（RDA）日前推出新一代宽带高线性功率放大器芯片——RDAD101。RDAD101工作频率为100MHz～2500MHz超宽带线性RF驱动放大器，具......
用2 μm GaAs HBT工艺实现了12 Gbit/s用于光纤传输系统的限幅放大器.整个系统包括一级输入缓冲、三级放大、一级用于驱动50 Ω传......
微电子所微波器件与集成电路研究室HBT超高速电路小组刘新宇研究员和金智研究员等研制成功两款基于Ium GaAs HBT工艺的8-bit超高速......
作为光接收机前端的关键部分，限幅放大器要求具有高增益、足够带宽和大动态输入范围。利用IBM公司0．5μmSiGe BiCMOS HBT工艺设计了......
