南京电子器件研究所相关论文
《光电子技术》由南京电子器件研究所主办，系学术性和技术性刊物，大16开，全年4期。《光电子技术》主要刊登国内外光电子领域的学术论......
南京电子器件研究所最近在研制超宽带、长脉宽硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展，研制出的器件在2.7-3.4GHz超宽带内，脉宽100μs，占空......
宽带GaAs MMIC功率放大器在电子系统和微波通信中得到广泛应用。南京电子器件研究所最近研制成一种2～6GHz宽带功率放大器，具有比较优......
光纤通信系统中,驱动放大器用于驱动电光调制器完成电光转换功能,40Gb/s光通信系统对驱动放大器的指标要求为带宽、增益和输出信号......
南京电子器件研究所采用微机械工艺和硅衬底集成波导技术成功研制出了Q值大于180的单片集成MEMS微波谐振器.该谐振器采用SIW(衬底......
南京电子器件研究所采用RF、磁控溅射法成功研制出室温下相对介电常数高于100的BST薄膜。采用具有自主知识产权的工艺技术制作了大......
南京电子器件研究所近期研制成功1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管。该器件在1．44～1．68GHz频带内，脉宽200tzs，占空比10％和40V工作电压......
GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）以其输出功率密度大、工作电压高和输出阻抗高等特点，在微波通信、雷达等领域有着广泛的应用前景，将成为......
超高速模数转换器（ADC）是软件无线电、高速数据采集和宽带数字化雷达的关键组成部分。附带校准技术的折叠内插ADC具有等同快闪（FLASH）A......
数字化和高频化是现代雷达和通信系统的两个重要发展方向。InPDHBT具有十分优异的高频特性、良好的器件一致性、高线性度以及极低......
极紫外成像探测是空间等离子探测的重要手段，南京电子器件研究所研制的球面MCP探测器组件是极紫外相机的关键部件，该组件与WSA阳极组......
磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子......
南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的......
南京电子器件研究所近期研制出一款Ku波段氮化镓（GaN）功率模块，该模块是基于本所的0．25μm 101．6mm GaN工艺制作的Ku波段16W功放单片，采......
<正>南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,......
南京电子器件研究所最近研制成一种采用金刚行铜复合材料的离导热GaN功率管外壳，用于封装c波段60WGaNHEMT器件。新材料通过了外壳常......
南京电子器件研究所采用含有双AIGaN过渡层的材料结构在76．2mm（3英寸）Si绀底上外延生长了厚度超过2μm的AIGaN／GaNHEMT材料（图1），材料表而......
数字射频存储器（DRFM）基于高速采样和数字存储技术,能够对射频和微波信号进行存储及再现。相位量化DRFM的核心部件是模数转换器（ADC）和......
