InGaN沟道相关论文
Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料及2DEG具有优越的电学性能,使得GaN基高电子迁移率晶体管在抗击穿、耐高温及微波功率器件应用方面极具潜......
GaN基异质结构由于其自发极化和压电极化产生的沟道内二维电子气（2DEG）而得到了广泛的关注,以AlGaN/GaN异质结为基础的高电子迁移率......
第三代半导体GaN基电子材料和器件研究向高频和大功率方向得到了很大发展。常规AlGaN/GaN异质结电子材料要实现大电流,高功率和高......
