InGaN量子阱相关论文
现阶段商品化的白光LED以GaN基蓝光LED激发黄色荧光粉的技术方案为主,其优势在于结构简单、价格低廉、制作工艺重复率高。然而其光......
采用金属有机物化学气相沉积(MOVCD)技术制备了不同GaN垒层厚度的InGaN单量子阱。低温PL测量发现,随着GaN垒层厚度的增加,InGaN量子......
本文主要介绍了GaN基蓝光LED具体生长方法,介绍各参数对产品性能的影响,并介绍了一些提高产品性能的手段: (1)、首先介绍了GaN的基......
本文通过对太阳能电池非平衡系统的细致平衡原理分析,计算了InGaN量子阱太阳能电池的理论效率,并与其它方法得到的计算结果进行了对......
一种特定发光波长(415—425nm)的台阶型InGaN构型量子阱被设计并从理论上进行考察,包括量子阱区域载流子浓度分布、自发辐射复合速率......
使用Stillinger-Weber(SW)类型经典势,研究了InxGa1-xN合金的原子结构以及富铟Clusters引起的InGaN/GaN量子阱的形变.SW参数来自氮......
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED)。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝......