该文首先研究了Si基BiTiO(BTO)铁电薄膜的Sol-Gel制备工艺,着重通过实验探索BTO/p-Si异质结制备的工艺参数选取和工艺流程控制;并......

采用溶胶-凝胶法（Sol-Gel）在n型GaN衬底上制备了PZT铁电薄膜及其相应的金属-铁电体-半导体（MFS）结构,测量了该MFS结构的C-V特性,从理论......

利用sol-gel方法在p-Si(111)基底上制备钛酸铋薄膜.测量不同退火温度下得到的In/BTO/p-Si结构的C-V曲线,测量结果表明制备的MFS结......

用半导体理论讨论了金属－铁电薄膜－半导体（ＭＦＳ）结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特性，其结果表明：在ｎ型Ｓｉ基片上，理想ＭＦＳ的Ｃ－Ｖ曲线为逆时针回滞，有载流子注入的ＭＦＳ结构的Ｃ－Ｖ曲线......