本文研究了不同硅膜厚度对栅接地SOI NMOS器件ESD(静电放电)特性的影响，结果发现硅膜厚度越大，ESD二次击穿电流I12越大;其原因可能与......

　　基于MEDICI模拟软件，研究不同栅氧化层厚度和有效沟道长度对深亚微米NMOS器件的热载流子效应的影响。结果表明了，器件的热载流子......

由于SOI MOSFET比体硅MOSFET存在更复杂的结构，因此它的总剂量辐照效应也比体硅更复杂。为了提高SOI MOSFET的抗总剂量水平，本论文对......

为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压,利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p+多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件......

提出了在n-区中采用掺杂浓度三层渐变式结构SiGe/Si功率二极管及台面结构的SiGe/Si功率二极管.由Medici模拟所得的特性表明,在采用......

本文提出一种沟道长度为0．125μm 的异质结CMOS（HCMOS）器件结构。在该结构中，压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS（HPMOS）与异质......

为使垂直层叠SiGe/Si异质结CMOS器件具有匹配的阈值电压，利用二维器件模拟器MEDICI模拟分析了p^＋多晶Si1-xGex栅的功函数对此类器件......

SOI技术的研究是微电子领域发展的前沿课题，SOI电路具有高速、低压、低功耗、抗辐照、耐高温等优点，被誉为“21世纪的硅集成电路技术......

本文提出一种沟道长度为0.125μm的异质结CMOS(HCMOS)器件结构。在该结构中,压应变的SiGe与张应变的Si分别作为异质结PMOS(HPMOS)......