MgB2超导体相关论文
中心镁扩散技术（IMD）自2003年被Giunchi等人首创以来，国内外学者系统地揭示了Mg与B反应机制，MgB2烧结成相过程及掺杂物的影响；IMD-MgB2......
分别制备了8％(质量分数)的TiC和5％(质量分数)的SiC掺杂的MgB2超导块材,并对比分析了这两种掺杂物对MgB2超导块材的性能影响。所有样......
通过分步反应法,利用晶态B粉和无定形B粉分别与Mg粉反应制备了MgB2超导体.其中分步反应法的第一步采用不同状态的B粉与Mg粉按原子......
MgB2超导体具有优良的超导电性能,受到了极大的关注。用不同方法制备的MgB2超导体,其超导电性能也不尽相同。常压扩散法使用的设备......
MgB2的超导转变温度为39 K,可以摆脱昂贵的液氦制冷技术而使用,因此相比于传统低温超导体其应用成本较低。但MgB2的本征磁通钉扎中......
采用X射线衍射仪和扫描电镜系统研究了纯MgB2和碳掺杂MgB2超导块材在的盐酸溶液中(pH=2)酸浸后的相成分和微观结构演变过程。XRD结......
将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得Mg1-xZrxB2(x=5%、10%和20%),压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h.利用X射线衍射仪(XRD......
以Nb/Cu复合管作为外包套材料,Nb棒作为中心增强体,通过原位法粉末装管工艺(in-situ PIT)制备了不同芯丝结构的TiC粉末掺杂MgB2/Nb......
研究了在MgBz超导体中，Al、C以及这两种元素共同掺杂时对样品的超导转变温度、不可逆场、以及临界电流的影响。研究发现，当掺杂电子......
自2001年发现MgB_2的超导电性以来,关于MgB_2的界面组织和电学性能已经有了多重形式的研究。然而,作为一种在具有广阔应用前景的材......
自从2001年新型超导体MgB_2发现以来，由于其合成工艺简单，成本低倍受超导界的青睐。但是其载流能力差，不能满足应用的需要。如何提高......
本论文主要是对用混合物理化学气相沉积法制备的MgB2超导薄膜的性质研究。自从2001年日本科学家偶然发现MgB2具有39K的超导转变温......
MgB2超导体的发现使它成为超导领域的焦点，由于它具有较高的Tc，有希望在小型制冷机的工作下实现超导应用，还可以通过掺杂来实现高场的......
MgB2超导体相比传统超导体有较高的临界温度(39K)，且有优于高温氧化物超导体的简单结构和电特性，这些优点使其在超导电子应用方面有......
本论文主要分两部分内容。 第一部分主要介绍了超导的发展、超导电性的基本性质、BCS理论及其主要结论。2001年超导转变温度高......
全文主要包括以下方面内容：第一章绪论简单介绍了MgB2超导体的研究背景,分析了目前所存在的主要问题,提出了本文的研究目标和研究内......
通过分步反应法,利用晶态B粉和无定形B粉分别与Mg粉反应制备了MgB2超导体。其中分步反应法的第1步采用不同状态的B粉与Mg粉按原子......
观察并研究了不同Y2O3含量的Cu/Y2O3共掺杂MgB2的体系,样品通过传统的固相烧结法制备。结合扫描电镜和X射线衍射技术的分析发现,只......
采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和物性测试仪(PPMS)研究了纯M......
采用固态反应法制备了纯MgB2和C掺杂MgB2超导体。采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、能谱分析（EDS）和物性测试仪（PPMS）研究了纯MgB2超导......
分别采用相同纯度（99．9％）和粒度（〈45μm）的球形和屑状Mg粉与无定形B粉，按照MgB2化学计量比均匀混合后，在10MPa的压力下压制成块。并在650，7......
高压方法已经用于许多重要技术领域的开发,其中包括MgB2超导体.高压技术可用于增加粉末的密度,提高粉末装管法导体的填充因子(FF),......
到目前为止,MgB2超导体主要以B和Mg为原始粉,通过粉末冶金方法制备而成.如何制作不含任何杂质(如MgO)并具有大晶粒尺寸的MgB2样品,......
2002年10月日本粉末技术研究所、大阪大学焊接科学研究所以及冈山大学环境理工学院联合采用机械研磨连接技术(MCB)在低温成功合成......
中科院物理所发布了一则快讯,介绍了用复合微波合成法快速制备MgB2超导体材料的方法及材料的性能.......
MgB2适合于制备约瑟夫森结,在超导电子学领域有很好的应用前景。制备高质量的MgB2薄膜至关重要,应用Mg-B/Mg-B-O体系的相图指导MgB......
采用原位粉末套管法制备了无定形碳掺杂MgB2/Nb／Cu超导线材。利用扫描电镜、输运法测试和磁测法等手段分析了无定形碳掺杂对超导线......
利用Mg扩散法制备出单相多晶的MgB2超导体,其超导转变的零电阻温度为38.4K左右,转变宽度小于1K.正常态电阻率温度关系为金属型,在2......
简单化合物MgB2超导性的发现引起了世界科学家对其组织结构、超导原理、制备方法及应用前景的广泛兴趣.针对MgB2单晶制备过程中存......
依据现有的MgB2掺杂实验,通过对掺杂MgB2体系超导电性与其晶格常数的研究,发现具有较好的规律性.因此本文提出用晶格常数作为掺杂M......
介绍了MgB2超导线带材的制备及影响线带材临界电流密度的因素.MgB2超导线带材的主要制备方法是先位粉末套管法和原位粉末套管法.Mg......
原料硼粉在MgB2相形成中的作用已经利用原位高温电阻率（HT-ρT）的测量技术进行了研究。MgB2相形成中的起始转变温度Tonset和相转变完......
采用X射线衍射仪和扫描电镜系统研究了纯MgB2和碳掺杂MgB2超导块材在的盐酸溶液中（pH=2）酸浸后的相成分和微观结构演变过程。XRD结果......
利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜分析不同烧结温度对MgB2超导体的相组成、微观结构的影响。结果表明,常压下,在740℃×0.5h制......
以Mg粉和B粉为主要原料,采用两种烧结方法制备出MgB2超导体。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、阿基米德法和标准的直流四引线法......
在由包括 Ti， C， nano 钻石，和 HoB4 做各种各样的 nanoparticles 的 MgB2 的 nanoscale 的缺点控制，和他们的角色玩了提高流动卡住在 ......
采用粉末烧结方法在不同温度(650℃,700℃,750℃,800℃,850℃,900℃)制备了MgB2超导块材.采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)研究......
本文基于双带模型,通过引入非电子-声子相互作用并利用自洽近似方法在BCS理论框架内讨论了硼化镁超导体的同位素效应,并探讨了非电......
本文利用正电子湮没技术(PAT)对不同密度的MgB2样品分别进行了测定,结果发现正电子在MgB2中自由态的湮没时间(本征寿命τ1)和在捕......
MgB2超导体具有临界转变温度39K、原材料廉价及制备工艺简单等优点,被认为是MRI中已用超导体最好的替代者.但是临界电流密度（Jc）随外......
将Mg粉、Zr粉和B粉按比例混合获得MgxZr1-xB2（x=5%、10%和20%）,压制成型后,在流通氩气的条件下于800℃烧结2h。利用X射线衍射仪（XRD）、......
研究了光辐照对MgB2超导体电子结构的影响。对MgB2超导体进行不同时间的激光照射后，利用正电子湮没技术对光照样品进行了研究，根据正......
制备具有高临界电流密度的二硼化镁超导体是当前超导研究的热点,近几年发展起来的低温烧结技术为显著改善临界电流密度提供了可能......
分别制备了8％（质量分数）的TiC和5％（质量分数）的SiC掺杂的MgB2超导块材，并对比分析了这两种掺杂物对MgB2超导块材的性能影响。所有样品均在......
具有六方晶体结构的金属间化合物二硼化镁MgB2（magnesium diboride）在温度接近绝对温度40K（-233℃）时发生超导转变,成为一类新的超导体......
超导体因其优异的电磁性能,在能源、通讯、生物医学和交通运输等领域具有广阔的应用前景。然而,这类材料通常在低温、高磁场等极端......
