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提出了一种基于双极工艺的纵向多面栅MOSFET的结构和工艺.应用此项技术能够方便地形成双栅、三栅以及围栅等各种多面栅结构;同时,......
随着器件尺寸的不断缩小,对更大驱动电流和更有效抑制短沟道效应器件的研制成为研究的热点,SOI多栅全耗尽器件由于对沟道更好控制......
