PECVD技术相关论文
物理冶金法提纯多晶硅技术具有产量大、成本低、不涉及化学过程及设备价格较低等优点。但与常规化学法提纯的光伏多晶硅材料相比，硼......
用等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)技术，在物理冶金多晶硅高效太阳电池表面间断性沉积三层氮化硅薄膜。优化工艺后用于小批量生......
本文采用PECVD技术制备的n型氢化微晶硅氧材料代替Zn0做为背反射电极折射率匹配层，以在非晶硅电池中的应用为例来研究μc-SiOχ：H/Al......
C60(Backminsterfullerene)是一种巨型分子组成的纯碳物质.1985年,H.W.Kroto等采用激光辐射蒸发石墨制备出稳定的C60原子簇,提出......
面对石油等传统能源即将消耗殆尽和环境污染污染问题,世界各国都在努力开发新能源,其中太阳能是取之不尽的清洁能源,故受到广泛的......
实验研究了不同乙炔与氩气流量比R对脉冲等离子体增强化学气相沉积（PECVD）类金刚石薄膜的沉积速率、AFM形貌、膜基结合强度、纳米压......
阐述了ＳｉＯｘ涂塑包装膜的最新发展及等离子体化学气相沉积技术在制造ＳｉＯｘ涂塑包装材料中的应用。......
材料的摩擦，磨损，腐蚀，疲劳及其组合等问题的研究和卓有成效的解决途径成为当前表面工程领域研究的热点。本文主要介绍物理气相沉积和......
日前，应用材料公司宣布推出全新的PVD和PECVD技术，用于制造下一世代的超高分辨率（UHD）电视以及移动设备的高像素密度屏幕。实现这一重......
<正> C60(Backminsterfullerene)是一种巨型分子组成的纯碳物质.1985年,H.W.Kroto等采用激光辐射蒸发石墨制备出稳定的C60原子簇,......
本文介绍用四乙基正硅酸盐(TEOS)等离子体加速化学气相淀积SiO_2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约......
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,应用高纯硅烷和氮气为反应气体,通过设置氮气流量分别为100sccm、200sccm、300sccm和40......
采用改进的PECVD技术首次制备出六角多型碳化硅纳米晶须.高分辨率电镜观察其直径在2～6 nm之间.长度为0.3 mm～6 mm.拉曼光谱表明它是......
为了研究SiO_xN_y光学薄膜在红外区的应用特性.文中采用PECVD技术沉积折射率为1.60的SiO_xN_y光学薄膜,设计制造了相同制备工艺参......
1引言大多数多晶硅太阳电池的减反射膜都是用增强的等离子化学气相沉积法(PECVD)沉积的掺氢氮化硅膜层(Sinx:H).和其它减反射膜(如......
随着太阳能电池的发展,硅量子点和包埋硅量子点的母体材料的研究仍是现在人们研究的热点话题之一。对硅量子点太阳能电池来说,包埋......
本项研究设计、研制出在物理冶金多晶硅太阳电池表面沉积三层氮化硅薄膜。将PCID太阳电池设计软件模拟筛选出的最优沉积薄膜的工艺......
基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,以硅烷和高纯氮气作为反应气体源,分别设置射频功率为50,80,110,140,170W和沉积压强为2......
