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报道了利用低压金属有机汽相外延(LP-MOCVD)工艺首先在硅(n-Si衬底上生长硫化锌(ZnS)薄膜,然后将 硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下......

在室温下,采用射频磁控溅射法在p-Si(100)衬底上制备了铝酸镧(LaAlO3)薄膜,分别在800 ℃,900 ℃和950 ℃下进行退火处理。利用X射......

采用射频磁控溅射法在n型单晶Si(100)衬底上制备Au/Si/Au多层薄膜,并在300 ℃真空原位退火30 min。扫描电子显微镜(SEM)及透射电子......

In this work, results on the study of the structure and photoluminescence (PL) properties of SiOxNy thin films are pres......

采用双离子束共溅射方法制备了SiOX薄膜,XRD和TEM的分析表明SiOX薄膜为非晶结构,XPS分析表明样品主要是以SiO190的形式存在于薄膜......

以ＳｒＳ∶Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子束蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ∶Ｃｅ薄膜，研究了新制备ＳｒＳ∶Ｃｅ膜的光致发光（ＰＬ）性能和它的电致发光（ＥＬ）器件的电致发光性能，并与直......

以Ｓｒｓ：Ｃｅ和ＺｎＳ的混晶为原料用电子蒸发的方法制备了蓝色ＳｒＳ：Ｃｅ薄膜电致发光器件，研究了新法制备的ＳｒＳ：Ｃｅ膜的光发光性能和它的电致发光器件的电致发光性能......

以磁控溅射方法于p-Si上淀积富硅二氧化硅，形成富硅二氧化硅／op-Si结构，用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在N2气氛中退火，其光致发光（P......