SIC材料相关论文
本文主要对不同工艺条件下的NiCr/4H—SiC欧姆接触特性进行对比研究,从而摸索出得到良好欧姆接触的最佳工艺条件,对SiC MESFET器件......
本文主要分析了温度和热效应在6H-SiC MOS器件不同晶面上对其击穿特性的影响.当考虑到器件内部热流的影响时,迁移率因具有负温度系......
ＳｉＣ是一种具有宽禁带、高击穿场强、高饱和电子漂移速度和高热导率的半导体材料。ＳｉＣ微电子与光电子器件的潜在军事用途尤为引人注目，ＳｉＣ器件......
作为最受关注的SiC材料之一的双极结型晶体管BJT(Bipolar Junction Transistor,BJT),具有特定的低阻抗、快速开关和对温度依赖性小......
1 前言 Si浸渍SiC产品一直作为结合材料使用,但由于是属于复合材料,所以关于其受热前后的特性变化方面的报告很少。立足于龟裂进展......
研究了大黄米向生物形貌SiC的转化.大黄米经800℃炭化转变成碳模板，在1600℃下与熔融硅反应生成SiC.以TG技术考察大黄米向碳模......
SiC作为高温测温热电偶保护套管材料,具有优异的抗氧化、耐腐蚀、耐磨性、高温力学性能以及高温稳定性等优点.本工作为了检验SiC材......
针对传统侧墙材料无法满足炼铝技术要求的现状,对Si3N4结合SiC材料进行了详细的研究,重点讨论了成型压力对Si3N4结合SiC材料物理性......
棉花秸秆经800℃炭化转变成碳模板,在1600℃下与熔融硅反应生成SiC.以TG技术考察棉花秸秆向碳模板的转化过程,以XRD、SEM等方法对......
SiC作为冶金行业用高温测温热电偶保护套管材料，具有优异的抗氧化、耐腐蚀、耐磨性、高温力学性能以及高温稳定性等优点。本工......
纳米SiC材料是多种性能非常优越的材料，本文对纳米碳化硅的研究进展做了综述，并介绍了几种常用的制备纳米碳化硅粉体、碳化硅纳......
该文通过改变发热体形式、炉体结构和相应的工艺,研究开发了多炉芯发热法制备多品种工业SiC产品和无炉芯反应料发热法以普通工业原......
SiC材料作为一种第三代半导体材料，因其具有禁带宽度大(3.2ev)，耐击穿电场强(2.2×106 V/cm)，饱和电子迁移速度高（2.0×107cm/s），热导率......
该论文的工作就是在评述SiC材料特性,晶体制备技术的基础之上,对制备SiC外延薄膜CVD,MBE和溅射法等方面进行详细阐述,特别对射频溅......
制备SiC晶体的历史可以追溯到1893年,但是真正引起重视还是在1961年6H-SiC以及1994年4H-SiC单晶材料的商品化之后,在20世纪90年代......
宽禁带导体材料SiC拥有许多优越的物理特性,这使得它在高温,高频,大功率,以及极端化学环境下具有广泛应用。目前,对于SiC材料的电......
相对于传统Si材料，宽禁带半导体碳化硅(SiC)材料具有较高击穿电场，较高饱和电子速率，较大热导率，较低本征载流子浓度以及抗辐射和抗化......
作为第三代半导体材料,siC半导体材料凭借其较宽禁带、较高的临界击穿电压、较高热导率以及饱和漂移速度等优异的特性,正在逐渐取......
通过分析SiC材料的加工特点及难点,针对SiC材料成型后加工易产生崩边、开裂等问题,设计并搭建了机器人砂带柔性磨削系统,开展了相......
作为一家综合性的半导体厂商,罗姆拥有从分立半导体到IC等丰富的产品线。于2008年制定的面向未来50年的四大发展策略:相乘战略、功......
实验考察了含TiO2高炉渣对Sialon结合SiC耐火材料的侵蚀行为.结果发现,渣中TiO2含量仅为1.05%时,耐火材料中将形成Ti(C、N),并积聚......
本文综述了工业生产及实验室方法合成各种碳化硅材料的制备技术。对碳化硅材料在普通工业领域和一些高技术领域中近年来发展的工业......
综述了制备SiC材料的工艺及进展 ,介绍了多种SiC材料的制备方法 ,评述了各种制备工艺的优缺点 .......
电源设计者们仿佛正在目睹一个新的半导体技术的诞生。随之而来的新一代功率半导体器件远远优于现有的硅技术。SiC材料可以让器件......
SiC材料不易被渣浸润，且具有较高的热导率，常被用于高炉出铁沟浇注料来改善浇注料抗高炉渣侵蚀性和抗剥落性。但近年来，随着高炉冶炼......
新材料的开发研究过程中,人们总是把着眼点放在均匀体系,通过控制其成分、结构等来改善某种性能。譬如说对于高温结构陶瓷碳化硅(S......
通过研究制备了用于直写成型SiC陶瓷零部件所需的SiC浆料,分析用于直写成型的SiC浆料的分散性、流变性要求,研究分散剂和流变助剂......
用热丝CVD法，以丙酮和氢气为碳源，在SiC衬底上沉积金刚石薄膜，提出了分步变参数沉积法制备超细晶粒金刚石复合薄膜的新工艺。结果表明......
随着雷达探测系统、精确制导技术的迅猛发展与应用,大型航空飞行器或装备系统在使用时面临极大的威胁。吸波材料可以有效降低目标......
介绍了一种大长宽比长条型反射镜的轻量化结构设计方法。讨论了反射镜的材料选择和轻量化结构形式,同时在轻量化设计过程中引入拓......
耐高温雷达隐身材料对提高武器装备的生存能力具有重要意义和实际应用价值。本文总结了耐高温吸波材料的研究进展,详细论述了SiC基......
据报道,日前,搭载第三代半导体SiC电机控制器的北汽新能源实车,在吐鲁番即将完成夏季高温试验,并在后续开展里程可靠性试验和冬季......
SiC因其宽的禁带宽度、高的电子饱和速度、大的临界击穿场强、高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频、大功率和耐高温器件的......
自制了SiO2结合SiC砖,然后参照ASTM C863—2000对其在1000℃水蒸气(水蒸气的通入速率为32 kg·m-3·h-1)中分别保温50、10......
耐高温雷达隐身材料对提高武器装备的生存能力具有重要意义和实际应用价值。本文总结了耐高温吸波材料的研究进展,详细论述了SiC基......
文章针对轻量化程度较高的SiC空间反射镜,探讨了其在重力环境下反射镜面形检测所需要的卸载支撑方法。为了使重力对反射镜面形精度......
利用传统光学加工方法，采用陶瓷磨盘和金刚石微粉对国产化学气相沉积（CVD）SiC进行了粗磨、细磨加工；然后，利用颗粒直径从4μm到1μm的金......
简要介绍了垂直双扩散功率场效应晶体管(VDMOS)的研究现状和发展历史。针对功率VDMOS器件击穿电压和导通电阻之间存在的矛盾,重点......
SiC材料是第三代宽禁带半导体材料的代表，因其在高温、高功率、高辐射条件下的优异性能，而成为“极端电子学”中最重要的研究对象之......
研究了SiAlON(主要为Si 4Al 2O2N 6)结合SiC、复相氮化物(Si 2N 2O/Si 3N 4)结合SiC和β-SiC结合SiC材料在1000℃、CO气氛(C+CO22C......
作为第三代的半导体材料－ＳｉＣ具有禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频、大功率、耐......
