SnS薄膜相关论文
在络合剂EDTA存在且溶液的酸度值为2.1,离子浓度比Sn2+∶EDTA∶S2O32-=1∶1∶4条件下,控制沉积电位为-1.00V(vs.SCE)用阴极恒电位......
本文利用热蒸发和等离子体化学气相沉积( Plasma Chemical Vapor Deposition,PCVD)相结合的方法制备了具有较高的光吸收系数、质量......
Sn_xS_y化合物属于IV-VI族半导体化合物材料,种类繁多,应用广泛,具有优异的半导体性能。同时Sn_xS_y化合物的组成元素在地球上储量......
太阳能是一种取之不尽用之不竭的可再生能源,将太阳光能转换为人类发展可使用的电能一直都是科学家们重点研究领域。钙钛矿太阳能......
SnS因为优异的物理、化学特性极其适合作为太阳能电池中的光吸收层。如何进一步改善其性能,提高其光电转换效率成了人们近来研究的......
SnS无毒、环保,其光学禁带宽度与可见光有很好的光谱匹配,非常适合作为太阳能电池中的光吸收层材料。ZnO的禁带宽度约为3. 3eV,具......
硫化锡(SnS)的直接禁带宽度Eg约为1.2～1.5eV，接近太阳能电池的最佳禁带宽度1.5eV，在理论上其能量转换效率达到25％；其吸收系数α>104cm-1......
太阳能是地球上取之不尽洁净环保的能源，人类利用光伏效应使太阳能转化为电能以致太阳能利用领域更加广阔，因此太阳能电池可以非常理......
目前,SnS是最具有发展前景的光伏材料之一,非常有希望作为未来高效的太阳能转换材料。SnS具有稳定的化学性质,无毒性,其构成元素在......
本论文以水热法合成的Cu2ZnSnS4(CZTS)粉体为源，用脉冲激光沉积法制备了CZTS薄膜，组装了结构为FTO/CdS/CZTS/Mo的薄膜太阳电池；探讨了......
SnS的光学直接带隙和间接带隙宽度分别为1.2-1.5 eV和1.0-1.1eV,吸收系数可达104 cm-1以上,与太阳辐射中的可见光有很好的光谱......
在ITO玻璃衬底上使用脉冲电沉积法制备了SnS薄膜，研究了不同的开启脉冲电位对薄膜表面，薄膜结构以及光学性质的影响。结果表明，在......
真空共蒸发制备掺Zn(2%,4%(质量比))的SnS薄膜。研究热处理对Zn掺杂SnS薄膜的结构、表面形貌、化学组分及光学特性的影响。实验给......
利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上生长、并经Ar保护下快速退火制备SnS薄膜。利用X射线衍射、拉曼光谱、X射线能量色散谱、原子力显......
在溶液的pH=2.7,离子浓度比[Sn2+]/[S2O32-]=1/5的条件下,通过调节沉积电位在-0.60～1.10V(vsSCE),在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜......
利用脉冲激光沉积法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,研究了SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学特性。所制备的SnS薄膜样品为斜方晶......
近年来化合物薄膜太阳电池得到迅猛的发展。SnS光电薄膜的禁带宽度与太阳光谱非常匹配,并且具有较高的吸收系数,所以它是一种理想......
用两步法制备了SnS薄膜，首先在玻璃衬底上用磁控溅射法沉积-层Sn薄膜，然后在220℃下加热炉中硫化60min．对该薄膜进行结构、表面形貌和......
利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜并对其进行快速退火处理,利用X射线衍射（XRD）、拉曼光谱（Raman）、X射线能量色散谱（EDS）、原......
在络合剂EDTA存在且溶液的pH=2.1,沉积电位E=-1.0 V,离子浓度比Sn2+/S2O32-=1/4的条件下,通过改变EDTA的浓度,用阴极恒电位电沉积......
利用脉冲激光沉积(PLD)在玻璃衬底上制备了Cu掺杂SnS薄膜。靶材是由SnS和Cu2S粉末混合压制而成(Cu和Sn的量比分别为0%、2.5%、5%、......
利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃基片上室温生长SnS薄膜,并在Ar气保护下分别在200,300,400,500,600℃对薄膜进行快速退火处理。利用......
利用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备SnS薄膜,用X射线衍射(XRD)、能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电镜(FE-SEM)和紫外......
SnS是一种Ⅳ-Ⅵ族半导体材料,非常适合于作为太阳能电池的吸收层材料.目前已经研究开发了许多制备SnS薄膜的技术,并对其性能进行了......
利用真空热蒸发法在玻璃基片上制备SnS薄膜，在50℃～200℃之间，研究了基片温度对SnS薄膜的结构、形貌和光电性能的影响。结果表明，随着......
听硫化物(SnS ) 薄电影被电极淀积准备到做氟的符号的听氧化物(FTO ) 上用包含 SnCl <sub>2</sub> 和 Na <sub>2</sub 的一个水的......
用热蒸发法技术在ITO透明导电玻璃上沉积一层Sn膜，将其装入石墨盒里后，放在真空炉里面硫化处理，硫化温度在150-350℃之间。通过对在不......
用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于......
在溶液的pn=2．7，离子浓度比[Sn^2＋]，[S2O3^2-]=1／5的条件下，通过调节沉积电位在-0．60—1．10V（vsSCE），在ITO导电玻璃基片上电沉积SnS膜层。实验......
用阴极恒电流沉积法制备 SnS薄膜.研究了溶液的 pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积 参数对薄膜组分的影响,得出制备 SnS薄膜的理......
在溶液的pH=2．7，离子浓度比Sn^2＋／S2O3^2-=1／5，沉积电位为-0．72～-0．75V（vs．SCE）的条件下，控制溶液的温度在30～50℃之间变化，用阴极恒电位电沉积法......
用两步法在ITO玻璃基片上制备SnS薄膜,即先在ITO玻璃基片上热蒸发一层Sn膜,然后在一定的温度和时间下在真空系统中进行硫化。在优......
在溶液的pH-2．7，离子浓度比Sn^2+／S2O3^2-=1／5和电流密度J=3．0mA／cm^2的条件下，用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1......
用阴极恒电流沉积法制备SnS薄膜。研究了溶液的pH值、离子浓度比、电流密度等电沉积参数对薄膜组分的影响,得出制备SnS薄膜的比较......
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使用一种简单的旋涂热解法结合快速退火,在空气中以载玻片玻璃和FTO为衬底,在热解温度分别为280、320、360℃的条件下制备了一系列......
目的 获得光电性能较佳的Sn S/Zn O叠层太阳能电池。方法 通过磁控溅射法,采用不同的溅射参数在FTO玻璃上制备Sn S和Zn O薄膜,研究......
当今社会能源问题越显突出。随着可再生能源的日益消耗,长此以往,如果没有新型能源来替代传统能源,人类很难实现可持续发展。太阳......
采用了电沉积法在SnO2透明导电玻璃上制备了硫化锡(SnS)薄膜,并对用电化学法实现Sn和S共沉积的条件参数进行了理论探讨.实验中,利......
用质量比为1%∶0.2%（质量分数）的Sn、S混合粉末在玻璃衬底上热蒸发沉积SnS薄膜,氮气保护下对薄膜进行350℃、40min热处理后,得到简单......
Zn(O,S)薄膜是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体材料,它的带隙约为2.6eV-3.6 eV。它可以通过调节氧和硫的原子成分来控制自身的禁带......
太阳能是一种清洁可再生能源,对环境无污染,储量丰富,因此对其的开发利用已成为解决人类能源危机的重要方向,而太阳能电池也因此成......
窄带的Ⅳ-Ⅵ族半导体由于其良好的光电效应被广泛应用于红外-近红外探测器、太阳能电池、继电器等领域中。其中SnS具有直接带隙1.3......
