等离子体增强化学气相沉积法相关论文
锂离子电池的锂金属负极材料会在电池循环过程中不可避免地产生使电池容量降低的死锂以及可能会造成电池短路的锂枝晶,这严重影响......
硅纳米线阵列(SiNWA)因其优异的陷光性在石墨烯/硅异质结太阳能电池研究中引起了广泛关注.然而平面结构的石墨烯难以与SiNWA形成包......
实验采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)法在玻璃衬底上制备非晶硅(a-Si)薄膜,再经准分子激光退火(ELA)使其结晶为多晶硅(Poly-S......
本文采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，然后在快速热退火炉中退火使其晶化。利用X射线衍射仪(XRD),拉曼光谱仪(R......
采用等离子体增强化学气相沉积法,通过设置等离子体发生器的功率和生长时间来控制石墨烯的层数,生长出了高质量和高透明度的石墨烯......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）沉积非晶硅薄膜，本实验选用廉价衬底，主要包括玻璃片、不锈钢片、低品质的金属硅片。通过单因......
Improved hetero-interface passivation by microcrystalline silicon oxide emitter in silicon heterojun
在这份报纸，我们准备了硅异质接面(SHJ ) 有 p-c-Si/i-a-SiO <sub> x </sub>:H/n-c-SiO<sub> x </sub>:H 的结构的太阳能电池(a-SiO......
氮掺杂碳纳米管具有独特而优良的性能,例如场发射与储氢.本文采用电晕放电等离子体增强化学沉积法,以甲烷、氮气和氢气为原料,Fe-C......
在MEMS工艺中，薄膜沉积是一种非常重要的技术。其中PECVD沉积由于其突出的优势得到了广泛的关注和研究。Level Set方法是一种追踪运......
纳米硅(nc-Si)薄膜由非晶相、硅纳米晶粒以及高浓度界面区域构成,具有电导率高、电学激活能低、光热稳定性好、光吸收能力强以及载......
等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)是目前制备垂直取向石墨烯的主要方法,其中常压辉光放电等离子体相较于其他低压等离子体在垂......
为了探究制备具有优异真空摩擦磨损特性的类金刚石碳基薄膜的途径，首先采用第一性原理和分子动力学方法研究了氟化类金刚石碳基薄膜......
氢化纳米晶硅(hydrogenated nanocrystalline silicon, nc-Si:H)薄膜是硅的纳米晶粒镶嵌在氢化非晶硅(hydrogenated amorphous sil......
在玻璃衬底上采用常规的PECVD法在低温(≤400℃)条件下制得大颗粒(直径>100nm)、择优取向(220)明显的多晶硅薄膜.选用的反应气体为......
The hydrophobic films of TixOy-CmHn deposited from mixture gases of titanium isopropoxide (TTIP) and oxygen by plasma en......
近年来,光纤传感技术因其敏感性高、体积小、防电磁影响等特点,正受到越来越多研究学者的关注,并被逐渐应用到生物化学、环境检测......
为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor,IGZOTFT)特性的最优化,采用I-V数据和SEM(Scanning Electron M......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）,在单晶硅衬底（100）上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、椭圆......
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采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)在单晶硅衬底上制备了氮化硅薄膜,分别使用膜厚仪、椭圆偏振仪等手段对薄膜的厚度、折射率......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）制得氮化硅和氢化非晶硅薄膜，对PECVD设备中基板支撑梢区域的膜质进行了研究。结果显示基板支......
采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD),在单晶硅衬底(100)上成功制备了不同生长工艺条件下的氮化硅薄膜。分别采用XP-2台阶仪、......
期刊
太阳能是一种清洁可再生能源,对环境无污染,储量丰富,因此对其的开发利用已成为解决人类能源危机的重要方向,而太阳能电池也因此成......
类金刚石膜(DLC)是一种由sp2和sp~3键构成非晶碳膜。由于与金刚石膜具有相似的优异性能,具有高硬度、摩擦系数低、良好的光学性能......
采用等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）在聚乳酸（PLLA）薄膜表面沉积SiO_X层,以改善PLLA薄膜对气体的透过性和选择性。通过红外光谱仪......
