Ta-C相关论文
当金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）于20世纪60年代首次制造时,使用铝（Al）作为栅电极。但是,由于Al的熔点低,不适合工艺,所以被......
Fabrication of large area tetrahedral amorphous carbon (ta-C) films by multi-cathode filtered vacuum
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采用FCVA工艺成功制备了ta-C薄膜,采用ECR-CVD工艺对部分ta-C薄膜试样进行氮等离子体处理,制备了ta-C:N薄膜。对两种薄膜的表面粗......
利用磁过滤真空阴极电弧技术制备了sp~3键含量不小于80%的四面体非晶碳薄膜(ta-C),然后通过氮离子束改性技术制备了氮掺杂的四面体......
利用磁场增强的石墨阴极弧在Si片和M2高速钢上沉积了ta-C薄膜,重点研究了基体偏压对膜层截面形貌、沉积速率、膜层结构、耐腐蚀性......
利用真空阴极弧技术在M2高速钢和单晶硅表面沉积ta-C薄膜,重点研究了电弧电流对沉积过程中等离子体行为,以及涂层的截面形貌、厚度......
采用自主研制的45°单弯曲磁过滤阴极电弧沉积系统于Si基体表面制备了四面体非晶碳（ta-C）膜，研究了基体负偏压对薄膜沉积速率、成......
Specular X-ray reflectivity (XRR) measurements were used to study the density and cross-section information of tetrahedr......
为了评估a-C∶H和ta-C涂层应用于铝合金干式切削刀具表面防护的可行性,在M2高速钢基底上,用RFPECVD方法沉积a-C∶H涂层,用磁过滤阴......
目的联合使用光谱型椭偏仪（SE）和分光光度计,精确测定超薄四面体非晶碳薄膜（ta-C）的光学常数。方法由于该薄膜的厚度对折射率、消光系......
被誉为“21世纪的硅集成电路技术”的SOI技术，由于其独特的结构特性而被广泛应用在低压、低功耗、射频、高温、抗辐照集成电路以及......
