在Si(001)衬底上,以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层,先后生长Sn组分x分别为2.5%,5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge_(1-x)Sn_x合金薄膜.......

本文指出,Vegard定律与实际情况不符的根本原因在于它没有考虑到溶质和溶剂原子在固溶体中由于近邻原子的不同而引起原子电子结构......