GeSn相关论文
本文研究了p+/n、p/n+、n+/p和n/p+不同结构的0.524 eV GeSn单结太阳电池的特性,探究了太阳电池的转化效率与发射区和基区厚度之间......
Si基光互连的高效光源一般为III-V族激光器,但其工艺与Si-CMOS的工艺兼容性差,这一难题一直阻碍着其发展。同为IV族的Ge材料可以解......
以硅为代表的Ⅳ族材料在很多方面具有优良性质。它不仅具有高的热导率,还是性能优良的光波导材料。然而,Ⅳ族半导体用来制做发光器......
在近50年半导体产业的发展历程中,以Si CMOS器件为基础的集成电路产业遵循“摩尔定律”的预言得到了飞速发展。通过MOSFET沟道长度......
使用低、高温两步法生长的高质量Ge薄膜作为缓冲层,在Si(001)衬底上采用分子束外延法生长出Ge0.975Sn0.025合金薄膜.X射线双晶衍射......
在Si(001)衬底上,以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层,先后生长Sn组分x分别为2.5%,5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge_(1-x)Sn_x合金薄膜.......
,Effect of substrate temperature on the morphological, structural, and optical properties of RF sput
In this study,Gel-xSnx alloy films are co-sputtered on Si(100) substrates using RF magnetron sputtering at different sub......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,有望解决集成电路的集成度在日益提高时电互连带来的问题.在Si基光互连的关......
苦苣苔科（Gesneriaceae）是玄参目中的重要类群，我国分布有54属438种，其中药用植物约100多种，且有相当一部分为濒危植物。 本文通过各......
自微电子工艺进入纳米尺寸以来，应变技术就以其对材料迁移率的显著提升成为了业界关注的焦点。目前源漏诱生应变Si沟道n-MOSFET尚处......
Si基光互连具有高速度、高带宽、低功耗、可集成等特点,是解决Si基集成电路发展瓶颈的一个重要途径。在Si基光互连的关键器件中,除......
