光致发光特性相关论文
为了满足场发射平板显示器对低压荧光粉形貌、发光效率、发光色纯度等方面的要求,本文采用并流沉淀法制备出了氧化锌纳米粉,并对并......
本文研究了多孔硅的制备条件,对其制备方法、表面形态、发生特性以及发光机理等方面的性能进行深入研究,对其影响因素进行了重点分......
高温固相反应法制备了系列Li2y-7Sr4-1.5xEux(MoO4)y纳米荧光粉.XRD结果表明,铕、锂离子的掺入对样品晶体结构影响甚微,但SEM图像......
Eu~(3+)-doped ZnMoO_4 with different doping concentrations were synthesized by a hydrothermal method. The effects of Eu~......
采用溶胶–凝胶法分别制备了掺不同摩尔分数Er3+的Er3+:Al2O3粉末和不同摩尔分数Y3+的0.5%Er3+:Al2O3(Y3+:0.5%Er3+:Al2O3)粉末。......
据美国物理学家组织网1月13日(北京时间)报道,美国莱斯大学研究人员开发出一种可将普通炭纤维制成石墨烯量子点的新方法。这种一步......
在空气中1100℃温度下,对中国新疆天然方钠石(Na8Al6Si6O24Cl2)和1wt%EuF3的混合粉末加热30分钟,制备了Na8Al6Si6O24Cl2:Eu发光材......
在水热条件下,以2-(4-吡啶基)-1H-咪唑-4,5-二羧酸(H3PIDC)和1,10-菲咯啉衍生物为混合配体合成了2个镉(Ⅱ)配合物{[Cd3(HPIDC)3(DP......
对三种不同生长条件、不同质量的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱进行了输运性质和光致发光谱的研究．在低迁移率的样品中，界面粗糙度对二维电子气的散射起主......
在550℃用原子层外延生长了 GaN 单晶薄膜。在低温下生长的薄膜室温光致发光特性由带边发射所控制,其强度与在1000℃通过金属有机......
采用一种晶向性腐蚀方法，在（100）Si平面衬底上腐蚀得到一种非平面结构，经SiGeMBE外延后，从SEM照片上可以看出，SiGe外延层是一种量子点、......
合成并研究了聚（９－丁基芴）的电致发光和光致发光特性．通过控制其浓度，可获得从黄到蓝不同颜色的发光，并分析了发光的性质．
The electrolum......
在一定偏压下用ＡｌＣｌ３＋ Ｃ２Ｈ５ＯＨ＋ Ｈ２Ｏ 混合液对多孔硅进行了后处理．经过处理的多孔硅与未经处理的多孔硅相比，其发光强且稳定．通过对样品进行红外吸收谱......
趋势与展望带有本征薄层的异质结太阳能电池刘艳红,刘爱民(1)中国光伏产业发展孙玉星,杨宏,苏乘风(101)MOCVD外延生长GaN材料的技......
利用单束800nm飞秒激光在掺杂了Al的ZnO薄膜中制备了纳米周期条纹结构。研究了不同能流密度的飞秒激光在照射不同的时间后,表面纳......
碳点(CDs)是一种生物兼容性良好、具有可调节的光致发光特性的纳米碳材料.聚丙烯酰胺(PAM)水凝胶是由丙烯酰胺单体经自由基引......
采用高温固相反应法制备了不同掺Tb浓度的CaSrSiO4纳米荧光粉.TEM照片显示粉末颗粒为球状,直径30～50 nm.XRD主要衍射峰与CaSrSiO4基......
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研究了Ｃｄ２＋掺杂的ＺｎＳ纳米晶的光致发光特性，结果表明，当Ｃｄ的掺杂量较低时（≤５％，摩尔分数）；ＺｎＳ纳米晶试样的荧光强度显著提高，Ｃｄ的掺杂量为０．５％时，掺杂试佯的相对......
纳米科技于 2 0世纪 70年代兴起 ,进入 2 1世纪越来越被大家耳熟。纳米科技在促进科技进步 ,提高社会文明程度 ,改善人类生存质量 ......
通过锌片与3mol/L丁胺水溶液在100～180℃水热反应12h直接在锌片上原位生长出ZnO纳米锥阵列.利用X射线衍射、拉曼光谱、扫描电子显微......
氧化锌(ZnO)是直接宽带隙半导体材料,有高达60meV的激子束缚能,是下一代短波长光电材料的潜在材料。首先制备了优良的多孔氧化铝(A......
为了简化AlN/C复合泡沫材料的制备流程,本文采用复分解反应法制备AlN纳米材料,并通过800℃退火处理使其在碳泡沫衬底上重结晶为六......
采用溶胶-凝胶法制备出了锐钛和金红石型两种准晶型纳米TiO2颗粒,ESEM结合XRD显示,锐钛型近似呈球状,粒径约30~40nm;金红石型呈圆......
采用磁控溅射和化学气相沉积技术制备出二氧化硅纳米花。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)......
采用直接沉淀法制备纳米ZnO单结构粉体和复合结构粉体,利用SEM和PL方法表征分析样品。研究了不同煅烧温度对制备纳米ZnO单结构粉体......
为改善燃气轮机热端部件的设计,使用压力敏感漆(PSP)技术对平板气膜冷却进行了实验研究。该技术基于压力敏感涂料氧猝熄光致发光特......
用ＨｏｔＷａｌ方法，在氟金云母单晶上生长出了（１１１）织构的Ｃ６０薄膜．用Ｘ射线衍射、Ｒａｍａｎ散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了织构Ｃ６０薄膜的结晶质量和结构特性......
利用有机物真空沉积技术制备了8-羟基喹啉铝（Alq）和叔丁基联苯基苯基二唑（PBD）交替生长的多层结构薄膜．低角X射线衍射测量表明，样品具有......
测量了用离子注入方法Ｓｉ＋ →ＳｉＯ２ ，Ｃ＋ →ＳｉＯ２ ，ＳｉＯ２ ：Ｌａ 和ＳｉＯ２ ：Ｅｒ 样品室温下的光致发光（ＰＬ） 谱和相应的光致发光激发（ＰＬＥ） 谱，结果表明它们均具有蓝、紫发光峰，且发光稳定......
利用络合转换法成功地在壳聚糖有机薄膜中得到了Ｍｎ掺杂的ＺｎＳ纳米微晶。通过改变反应时间来控制晶粒尺寸，得到的微晶尺寸在４０６０ｎｍ范围内。......
用等离子体增强化学汽相淀积法系统制备了发光纳米硅薄膜。讨论了晶粒尺寸和表面结构对光致发光谱的影响。用量子限制－发光中心模型......
介绍一种用溶胶 凝胶方法制作掺铒Al2 O3薄膜的工艺 实验测量了薄膜样品的光致发光光谱特性 结果表明光致发光光谱的峰值波长为......
使用化学溶液制备技术在硅(100)衬底上制备出符合化学计量比的钼酸铋(α相)薄膜。采用X射线衍射(XRD)分析的研究结果表明,所制备的......
采用脉冲激光沉积方法在单晶Si(100)衬底上制备出c轴取向的Zn1-xMgxO单晶薄膜,通过荧光光谱仪研究了薄膜的光致发光特性.实验结果......
采用射频磁控溅射的方法,在Si(100)基片上制备了纳米β-FeSi2/Si多层结构,利用X射线衍射、透射电子显微镜、光致发光光谱等表征技......
本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO2薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO2发光薄膜,在此基础上制备出ITO/SiON/Si-ric......
在７７－３００Ｋ温度下研究了Ｚｎ（１－ｘ）ＣｄｘＳｅ－ＺｎＳｅ多量子阱（ＭＱＷｓ）的光致发光特性．首次在７７Ｋ，Ａｒ离子激光器的４５７．９ｎｍ激发下，在Ｚｎ（０．６８）Ｃｄ（０．３２）Ｓｅ－ＺｎｓｅＭＱＷｓ中观测到５个发光带，其中三个发光带被归因于不同的激子发射：即ｎ＝１重空......
研究了调谐激光晶体Ｃｒ￣（３＋）：ＺｎＷＯ＿４的光致发光特性。报道了它的吸收光谱、激发光谱、发射光谱及其随温度的变化、零声子跃迁和发射寿命等实验结果......
采用阳极氧化腐蚀的方法制备了多孔硅（ＰＳ），这种ＰＳ的微结构为纳米量级的，并具有光致发光特性，这无疑将对全硅光电子学的发展具有很大意义。根......
采用磁控溅射和退火技术制备出Au/SiO2纳米复合薄膜。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)对上述纳米复合......
