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Si掺杂对MOCVD生长的n型Al<sub>0.5</sub>Ga<sub>0.5</sub>N的影响

采用AlN缓冲层技术在蓝宝石衬底上通过MOCVD方法成功制备出0.5μm的Si掺杂Al0.5Ga0.5N外延薄膜,并对其电学、光学与结构特性进行了......

期刊

ALGAN Si掺杂金属有机化学气相淀积蓝宝石衬底外延薄膜 AlGaN Si doping MOCVD sapphire substrate epilay

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