High-k材料是指介电常数k高于Si02的材料.使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电......

随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统的SiO2,这......

随着集成电路的发展，传统的电容器件已经不能满足射频电路的要求。金属-绝缘体-金属（MIM）电容器件成为替代传统电容器的新型电容器件......