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中子辐照CZ硅单晶热处理后的电阻率变化
CZ硅单晶受中子辐照,产生辐照缺陷,使其电阻率相对于其原始值有一定的偏差,经氮气气氛、650~700℃热处理,其电阻率可以基本恢复原始......
期刊
硅单晶
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