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三元硅化物(Co_xNi_(l-x))Si_2薄膜的制备及特性

在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ，Ｃｏ，Ｔｉ薄膜，形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ，Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构，通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ，ＸＲＤ，ＲＢＳ沟道谱，ＳＥＭ及四探针等方法对（ＣｏｘＮｉｌ－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特......

期刊

硅化物 Co_xNi Si_2 l-x 固相反应立方结构异质外延薄层电阻快速热退火离子束溅射

氢原子在混晶半导体Si_xGe_(l-x)表面上的化学吸附

本文采用2×2矩阵相干势近似和格林函数方法研究了氢原子在混晶半导体Si_xGe_(1-x)表面上的化学吸附,给出了化学吸附能和电荷转移......

期刊

氢原子 Si_xGe l-x 相干势近似化学吸附格林函数方法半导体混晶百分比浓度电荷转移

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