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polarizationinsensitiveAlGaIn相关论文
AIGaInAs-InP材料系1550nm偏振无关半导体光放大器
采用低压金属有机气相外延设备生长并制作了1550nmAIGalnAs-InP偏振无关半导体光放大器,有源区为3周期的张应变量子阱结构,应变量为-......
期刊
偏振无关
AIGalnAs-InP
光放大器
MOCVD
PACC
4280S
6855
7280E
polarizationinsensitiveAlGaIn
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